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PDF STD3055NL Data sheet ( 特性 )

部品番号 STD3055NL
部品説明 N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
メーカ SamHop Microelectronics
ロゴ SamHop Microelectronics ロゴ 

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STD3055NL Datasheet, STD3055NL PDF,ピン配置, 機能
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S T U/D3055NL
S amHop Microelectronics C orp.
P reliminary May.28,2004
N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor
P R ODUC T S UMMAR Y
VDS S
ID
R DS (ON) ( m W ) Max
25V 21A
40@ VGS = 10V
50@ VGS = 4.5V
F E AT UR E S
S uper high dense cell design for low R DS(ON).
R ugged and reliable.
TO-252 and TO-251 P ackage.
D
G
S
S TU S E R IE S
T O -252AA(D-P AK )
GDS
S TU S E R IE S
TO-251(l-P AK)
D
G
S
AB S OL UTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unles s otherwis e noted)
P arameter
Drain-S ource Voltage
Gate-S ource Voltage
Drain C urrent-C ontinuous a @ TJ=125 C
-Pulsedb (300ms Pulse Width)
Drain-S ource Diode Forward C urrent a
Maximum P ower Dissipation a
Operating Junction and S torage
Temperature R ange
THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS
Thermal R esistance, Junction-to-C ase
Thermal R esistance, Junction-to-Ambient
S ymbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
TJ, TSTG
R JC
R JA
Limit
25
20
21
52
20
50
-55 to 175
3
50
Unit
V
V
A
A
A
W
C
C /W
C /W
1

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