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FZ400R65KF1 の電気的特性と機能

FZ400R65KF1のメーカーはeupec GmbHです、この部品の機能は「IGBT-Module」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 FZ400R65KF1
部品説明 IGBT-Module
メーカ eupec GmbH
ロゴ eupec GmbH ロゴ 




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FZ400R65KF1 Datasheet, FZ400R65KF1 PDF,ピン配置, 機能
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 400 R 65 KF1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj=125°C
Tvj=25°C
Tvj=-40°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
VISOL
6500
6300
5800
400
800
800
7,4
+/- 20V
400
800
87
10,2
5,1
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A2s
kV
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 70mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 6300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 6500V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
4,3
5,3
max.
4,9
5,9
VGE(th)
6,4
7,0
8,1
V
V
V
QG - 5,6 - µC
Cies - 56 - nF
ICES
-
0,4
40
-
mA
mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Dr. Oliver Schilling
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05
date of publication: 2002-07-05
revision/Status: Series 1
1 FZ 400 R65 KF1 (final 1).xls

1 Page





FZ400R65KF1 pdf, ピン配列
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 400 R 65 KF1
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC
pro Modul / per Module
λPaste 1 W/m*K / λgrease 1 W/m*K
Schaltvorgänge IGBT(RBSOA);Diode(SOA)
switching operation IGBT(RBSOA);Diode(SOA)
RthJC
RthCK
min.
-
-
typ.
-
-
max.
0,017
0,032
K/W
K/W
- 0,008 - K/W
Tvj, max
-
- 150 °C
Tvj,op
-40
-
125 °C
Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube /screw M6
Anschlüsse / terminals M4
Anschlüsse / terminals M8
AlN
56 mm
26 mm
>600
M 5 Nm
2 Nm
M
8 - 10 Nm
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 FZ 400 R65 KF1 (final 1).xls


3Pages


FZ400R65KF1 電子部品, 半導体
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 400 R 65 KF1
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) RGon=6,2, RGoff=36, CGE = 44nF, VGE=±15V, VCE = 3600V, Tvj = 125°C,
11000
10000
9000
8000
7000
Eon
Eoff
Erec
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
IC = 400A , VCE = 3600V , VGE=±15V, CGE=44nF , Tvj = 125°C
8000
7200
6400
5600
4800
4000
3200
2400
1600
800
0
5
Eon
Eoff
Erec
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
RG []
6 FZ 400 R65 KF1 (final 1).xls

6 Page



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