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FF600R12KE3 の電気的特性と機能

FF600R12KE3のメーカーはeupec GmbHです、この部品の機能は「IGBT-Modules」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 FF600R12KE3
部品説明 IGBT-Modules
メーカ eupec GmbH
ロゴ eupec GmbH ロゴ 




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FF600R12KE3 Datasheet, FF600R12KE3 PDF,ピン配置, 機能
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF600R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
vorläufige Daten
preliminary data
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
600
850
1200
2,8
+/- 20
600
1200
75
2,5
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 24mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V; VCE=...V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,15
2 t.b.d.
VGE(th)
5
5,8 6,5
V
V
V
QG - 5,8 - µC
Cies - 43
- nF
Cres
-
2
- nF
ICES
-
- 5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
date of publication: 2002-07-30
revision: 2.0
1 (8)
DB_FF600R12KE3_2.0.xls
2002-07-30

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FF600R12KE3 pdf, ピン配列
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF600R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm;lPaste/lgrease =1W/m*K
RthJC
RthCK
min.
-
-
-
-
-
-
typ. max.
- 0,022
- 0,044
- 0,040
- 0,080
0,006
-
0,012
-
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
Tvj max
-
- 150 °C
Tvj op
-40
-
125 °C
Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube / screw M5
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
Gewicht
weight
Al2O3
17
mm
10 mm
>400
M 4,25 - 5,75 Nm
M 1,7 - 2,3 Nm
M8
- 10 Nm
G 1500 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
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DB_FF600R12KE3_2.0.xls
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FF600R12KE3 電子部品, 半導体
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
FF600R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=±15V, Rgon=3,6W, Rgoff=1,2W, VCE=600V, Tvj=125°C
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
Eon
Eoff
Erec
150 300 450 600 750 900 1050 1200
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=±15V, IC=600A, VCE=600V, Tvj=125°C
400
Eon
350
Eoff
Erec
300
250
200
150
100
50
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36
RG [W]
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2002-07-30

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PDF
ダウンロード
[ FF600R12KE3 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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IGBT-Modules

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