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IXFA3N80のメーカーはIXYS Corporationです、この部品の機能は「(IXFA3N80 / IXFP3N80) HiPerFET Power MOSFETs」です。 |
部品番号 | IXFA3N80 |
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部品説明 | (IXFA3N80 / IXFP3N80) HiPerFET Power MOSFETs | ||
メーカ | IXYS Corporation | ||
ロゴ | |||
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www.DataSheet4U.com
HiPerFETTM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
Preliminary data sheet
IXFA 3N80
IXFP 3N80
VDSS
ID25
RDS(on)
= 800 V
= 3.6 A
= 3.6 W
trr £ 250 ns
Symbol
VDSS
VDGR
VGS
VGSM
ID25
IDM
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
Md
Weight
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
I DSS
RDS(on)
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
TC = 25°C
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS,
TJ £ 150°C, RG = 2 W
TC = 25°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-263
Maximum Ratings
800 V
800 V
±20 V
±30 V
3.6
14.4
3.6
A
A
A
10 mJ
400 mJ
5 V/ns
100 W
-55 to +150
150
-55 to +150
°C
°C
°C
300 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
4g
2g
Test Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VGS = 0 V, ID = 1 mA
VDS = VGS, ID = 1 mA
800
2.5
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = VDSS
VGS = 0 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %
V
4.5 V
±100 nA
50 mA
1 mA
3.6 W
TO-220 (IXFP)
GDS
TO-263 (IXFA)
D (TAB)
G
S
D (TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
l International standard packages
l Low RDS (on)
l Rated for unclamped Inductive load
Switching (UIS)
Advantages
l Easy to mount
l Space savings
l High power density
© 2000 IXYS All rights reserved
98746 (09/00)
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IXFA3N80 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IXFA3N80 | (IXFA3N80 / IXFP3N80) HiPerFET Power MOSFETs | IXYS Corporation |