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D2012のメーカーはWuxi Youda Electronicsです、この部品の機能は「Si NPN Transistor」です。 |
部品番号 | D2012 |
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部品説明 | Si NPN Transistor | ||
メーカ | Wuxi Youda Electronics | ||
ロゴ | |||
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www.DataSheet4U.com
YOUDA TRANSISTOR
D2012
Si NPN TRANSISTOR D2012
DESCRIPTION AND FEATURES
*Collector-Emitter voltage: BVCBO= 60V
*Collector current up to 3A
*High hFE linearity
PIN CONFIGURATIONS
PIN SYMBOL
1 Emitter
2 Collector
3 Base
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb=25 )
PARAMETER
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
BVCBO
BVCEO
BVEBO
Collector Dissipation
Tcase=25
Tamb=25
Collector Current
DC
Pulse
Base Current
Junction Temperature
PCM
ICM
Icp
IB
Tj
Storage Temperature
Tstg
VALUE
60
50
7
30
1.5
3
7
0.6
+150
-55 +150
UNIT
V
V
V
W
W
A
A
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 ,all voltage referenced to GND Unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMDaBtaOSLheetT4EUS.cTomCONDITIONS MIN TYP MAX UNIT DataShee
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
VcB=50V, IE=0
VEB=5V, IC=0
VcE=5V, IC=20mA
VcE=5V, IC=0.5A
Ic=3A, IB=0.3A
Ic=2A, IB=0.2A
VcE=5V, IC=0.1A
VcB=10V,
IE=0,f=1MHz
100 nA
100 nA
30 200
100 400
0.3 0.5
V
1.0 2.0
V
5 MHz
80 pF
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
RANGE
Q
100 200
P
160 320
E
200 400
WuXi YouDa Electronics Co., Ltd
Add: No.5 Xijin Road, National Hi-Tech Industrial Development Zone, Wuxi Jiangsu China
Tel: 86-510-5205117 86-510-5205108 Fax: 86-510-5205110
Website: www.e-youda.com
SHENZHEN OFFICE Tel 86-755-83740369 13823533350 Fax 86-755-83741418
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2004-9-20
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PDF ダウンロード | [ D2012 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
D2010 | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
D2010UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
D2011 | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |
D2011UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |