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PDF H9013 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | H9013 | |
| Descripción | NPN Silicon Transistor | |
| Fabricantes | Shantou Huashan Electronic | |
| Logotipo |  |
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN SILICON TRANSISTOR
H9013
█ 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS
B PUSH-PULL OPERATION.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-92
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃
PC——Collector Dissipation…………………………………625mW
VCBO——Collector-Base Voltage………………………………40V
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………20V
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V
IC——Collector Current……………………………………500mA
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，C
Symbol
ICBO
IEBO
HFE(1)
HFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(ON)
BVCBO
BVCEO
BVEBO
Characteristics
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Min
78
40
600
40
20
5
www.█dahtFaE s78Ch—leaE1s1es2itf4icuat.iocno96m—F135
G
112—166
Typ Max Unit
Test Conditions
100 nA
100 nA
246
600 mV
1.2 V
730 mV
V
V
V
VCB=25V, IE=0
VEB=3V, IC=0
VCE=1V, IC=50mA
VCE=1V, IC=500mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=1V, IC=10mA
IC=100μA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=100μA，IC=0
H
144—202
I
176—246
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| H9012 | PNP Silicon Transistor |  Shantou Huashan |
| H9013 | NPN Silicon Transistor | Shantou Huashan Electronic |
| H9018 | NPN Silicon Transistor | Shantou Huashan |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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