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2SC3358のメーカーはUnisonic Technologiesです、この部品の機能は「NPN Silicon Epitaxial Transistor」です。 |
部品番号 | 2SC3358 |
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部品説明 | NPN Silicon Epitaxial Transistor | ||
メーカ | Unisonic Technologies | ||
ロゴ | |||
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UTC 2SC3358
NPN SILICON EPITAXIALTRANSISTOR
HIGH FREQUENCY LOW NOISE
AMPLIFIER
3
FEATURES
*Low Noise and High Gain
*High Power Gain
24
1
TO-50
1:COLLECTOR 2:EMITTER 3:BASE 4:EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
Collector-base voltage
VCBO
20
Collector-emitter voltage
VCEO
12
Emitter-base voltage
VEBO
3
Collector current
Ic 100
Total power dissipation
PT 250
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature
Tstg -65 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain bandwidth Product
Feed-Back Capacitance
Noise figure
ICBO
VCB=10V, IE=0
IEBO VEB=1V, IC=0
hFE
VCE=10V, IC=20mA
50
fT VCE=10V, IC=20mA
Cre VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
NF VCE=10V, IC=7mA, f=1.0GHz
TYP
7
MAX
1.0
1.0
300
1.0
2.0
UNIT
µA
µA
GHz
pF
dB
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R212-001,A
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SC3358 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SC3352 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
2SC3353 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SC3354 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) | Panasonic Semiconductor |
2SC3355 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | NEC |