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200GB60DLCのメーカーはEupecです、この部品の機能は「BSM200GB60DLC」です。 |
部品番号 | 200GB60DLC |
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部品説明 | BSM200GB60DLC | ||
メーカ | Eupec | ||
ロゴ | |||
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc= 50°C
Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 50°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP= 1ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
600
200
230
400
730
+/- 20V
200
400
4.050
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,45
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
Cies - 9 - nF
Cres - 0,8 - nF
- 1 500 µA
ICES
- 1 - mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Andreas Vetter
approved by: Michael Hornkamp
date of publication: 2000-04-26
revision: 1
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BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
1 Page Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
RthJC
min.
-
-
typ.
-
-
max.
0,17
0,29
K/W
K/W
RthCK
- 0,02
- K/W
Tvj - - 150 °C
Top -40 - 125 °C
Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage insulation
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M6
screw M6
Gewicht
weight
Al2O3
15 mm
8,5 mm
275
5 Nm
M1
-15 +15 %
G 180 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
3Pages Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
16
Eon
14
Eoff
Erec
12
10
8
6
4
2
0
0 50 100 150
E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)
RG,on= 1,5Ω,=RG,off= 1,5Ω, VCC= 300V, Tvj= 125°C
200 250 300 350 400
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
18
16
Eon
14 Eoff
Erec
12
10
8
6
4
2
0
0246
E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)
IC= 200A , VCC= 300V , Tvj = 125°C
8 10 12 14 16
RG [Ω]
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BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
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PDF ダウンロード | [ 200GB60DLC データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
200GB60DLC | BSM200GB60DLC | Eupec |