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FZ1200R12KE3 の電気的特性と機能

FZ1200R12KE3のメーカーはEupecです、この部品の機能は「IGBT Power Module」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 FZ1200R12KE3
部品説明 IGBT Power Module
メーカ Eupec
ロゴ Eupec ロゴ 




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FZ1200R12KE3 Datasheet, FZ1200R12KE3 PDF,ピン配置, 機能
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
vorläufige Daten
preliminary data
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
1200
1700
2400
5,6
+/- 20
1200
2400
300
2,5
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V; VCE=...V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min. typ. max.
VCEsat
-
-
1,7 2,15
2 t.b.d.
VGE(th)
5
5,8 6,5
V
V
V
QG - 11,5 - µC
Cies - 86
- nF
Cres
-
4
- nF
ICES
-
- 5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
date of publication: 2002-07-29
revision: 2.0
1 (8)
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29

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FZ1200R12KE3 pdf, ピン配列
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Transistor /per transistor, DC
pro Diode/per Diode, DC
pro Modul / per module
lPaste/lgrease =1W/m*K
RthJC
RthJC
RthCK
min.
-
-
-
typ. max.
- 0,022
- 0,040
0,006
-
K/W
K/W
K/W
Tvj max
-
- 150 °C
Tvj op
-40
-
125 °C
Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube /screw M5
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
Gewicht
weight
Al2O3
32
mm
20 mm
>400
M 4,25 - 5,75 Nm
M 1,7 - 2,3 Nm
M8
- 10 Nm
G 1500 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
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2002-07-29


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FZ1200R12KE3 電子部品, 半導体
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=±15V, Rgon=1,8W, Rgoff=0,62W, VCE=600V, Tvj=125°C
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Eon
Eoff
Erec
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
800
700 Eon
600
Eoff
Erec
500
400
300
,
200
100
0
0246
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=±15V, IC=1200A, VCE=600V, Tvj=125°C
8 10 12 14 16 18
RG [W]
6 (8)
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29

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ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
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[ FZ1200R12KE3 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
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IGBT Power Module

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