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MX086-4のメーカーはMicrosemiです、この部品の機能は「Battery Bypass Charge Diode」です。 |
部品番号 | MX086-4 |
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部品説明 | Battery Bypass Charge Diode | ||
メーカ | Microsemi | ||
ロゴ | |||
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www.DataSheet4U.com
2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
MX086-4
Features
• Standard spacecraft screening is per Microsemi PS11.50 “S”
(no suffix letter required, MX086-4 is only “S” screened)
• Designed for battery cell bypass
• Passivated mesa structure for very low leakage currents
• 4 die stacked in one package
• Hermetically sealed, ceramic surface mount power package
Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)
60 Volts
50 Amps
2 µs
BATTERY
BYPASS
CHARGE DIODE
DESCRIPTION
Peak Repetitive Reverse Voltage (NOT A BLOCKING DIODE!)
Average Rectified Forward Current, Tc≤ 125°C
Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave
Junction Temperature Range (for bypass operation)
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Case:
SYMBOL
VRRM
IF(ave)
IFSM
Tj
Tstg
θJC
MAX.
60
50
300
-20 to +275
-65 to +175
0.9
UNIT
Volts
Amps
Amps
°C
°C
°C/W
DESCRIPTION
Reverse (Leakage) Current
Forward Voltage
pulse test, pw= 300 µs, d/c≤ 2%
SYMBOL
IR
VF1
VF2
VF3
CONDITIONS
VR= 60 Vdc, Tc= 25°C
IF= 100 mA, Tc= 25°C
IF= 5 A, Tc= 25°C
IF = 10A, Tc= 25°C
MIN
2.5
2.75
3.2
TYP.
1
MAX
10
3.0
3.73
3.86
UNIT
µA
V
V
Mechanical Outline
www.DataSheet4U.com
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PDF ダウンロード | [ MX086-4 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
MX086-4 | Battery Bypass Charge Diode | Microsemi |