DataSheet.jp

BB102C の電気的特性と機能

BB102CのメーカーはHitachiです、この部品の機能は「Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BB102C
部品説明 Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
メーカ Hitachi
ロゴ Hitachi ロゴ 




このページの下部にプレビューとBB102Cダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 11 pages

No Preview Available !

BB102C Datasheet, BB102C PDF,ピン配置, 機能
BB102C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC
UHF RF Amplifier
ADE-208-588 (Z)
1st. Edition
November 1997
Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
Low noise characteristics;
(NF = 2.1 dB typ. at f = 900 MHz)
Withstanding to ESD;
Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.
Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)
Outline
CMPAK-4
2
3
1
4 1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
Note 1 Marking is “BW–”.
Note 2 BB302C is individual type number of HITACHI BBFET.

1 Page





BB102C pdf, ピン配列
Main Characteristics
BB102C
Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)
VG2
Gate 2
RG
Gate 1
VG1
Drain
A
ID
Source
Application Circuit
VAGC = 6 to 0.3 V
BBFET
V DS = 9 V
RFC
Output
Input
RG
V GG = 9 V
3


3Pages


BB102C 電子部品, 半導体
BB102C
Forward Transfer Admittance
vs. Gate1 Voltage
25
20
6
V
5
V
4
V
3
V
15 2 V
10 V DS = 9 V
R G = 680 k
f = 1 kHz
5
VG2S = 1 V
0 2 4 6 8 10
Gate1 Voltage V G1 (V)
Power Gain vs. Gate Resistance
30
25
20
15
10
V DS = 9 V
5
V G1= 9 V
V G2S = 6 V
f = 900 MHz
0
10 20 50
100 200
500 1000
Gate Resistance R G (k )
Noise Figure vs. Gate Resistance
4
V DS = 9 V
V G1= 9 V
3 V G2S = 6 V
f = 900 MHz
2
1
0
10 20
50 100 200 500 1000
Gate Resistance R G (k )
Power Gain vs. Drain Current
30
25
20
15
10 V DS = 9 V
V G1= 9 V
5
V G2S = 6 V
RG= variable
f = 900 MHz
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Drain Current I D (mA)
6

6 Page



ページ 合計 : 11 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BB102C データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
BB102C

Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

Hitachi
Hitachi
BB102M

Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

Hitachi
Hitachi


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap