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BB102CのメーカーはHitachiです、この部品の機能は「Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier」です。 |
部品番号 | BB102C |
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部品説明 | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier | ||
メーカ | Hitachi | ||
ロゴ | |||
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BB102C
Build in Biasing Circuit MOS FET IC
UHF RF Amplifier
ADE-208-588 (Z)
1st. Edition
November 1997
Features
• Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
• Low noise characteristics;
(NF = 2.1 dB typ. at f = 900 MHz)
• Withstanding to ESD;
Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.
• Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)
Outline
CMPAK-4
2
3
1
4 1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
• Note 1 Marking is “BW–”.
• Note 2 BB302C is individual type number of HITACHI BBFET.
1 Page Main Characteristics
BB102C
Test Circuit for Operating Items (I D(op) , |yfs|, Ciss, Coss, Crss, NF, PG)
VG2
Gate 2
RG
Gate 1
VG1
Drain
A
ID
Source
Application Circuit
VAGC = 6 to 0.3 V
BBFET
V DS = 9 V
RFC
Output
Input
RG
V GG = 9 V
3
3Pages BB102C
Forward Transfer Admittance
vs. Gate1 Voltage
25
20
6
V
5
V
4
V
3
V
15 2 V
10 V DS = 9 V
R G = 680 k Ω
f = 1 kHz
5
VG2S = 1 V
0 2 4 6 8 10
Gate1 Voltage V G1 (V)
Power Gain vs. Gate Resistance
30
25
20
15
10
V DS = 9 V
5
V G1= 9 V
V G2S = 6 V
f = 900 MHz
0
10 20 50
100 200
500 1000
Gate Resistance R G (k Ω)
Noise Figure vs. Gate Resistance
4
V DS = 9 V
V G1= 9 V
3 V G2S = 6 V
f = 900 MHz
2
1
0
10 20
50 100 200 500 1000
Gate Resistance R G (k Ω)
Power Gain vs. Drain Current
30
25
20
15
10 V DS = 9 V
V G1= 9 V
5
V G2S = 6 V
RG= variable
f = 900 MHz
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Drain Current I D (mA)
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 11 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BB102C データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BB102C | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier | Hitachi |
BB102M | Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier | Hitachi |