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MMBT2222 の電気的特性と機能

MMBT2222のメーカーはDiotecです、この部品の機能は「Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 MMBT2222
部品説明 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
メーカ Diotec
ロゴ Diotec ロゴ 




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MMBT2222 Datasheet, MMBT2222 PDF,ピン配置, 機能
MMBT2222 / MMBT2222A
MMBT2222 / MMBT2222A
NPN
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-05-15
2.9 ±0.1
0.4 3
Type
Code
1
2
1.1
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT2222 MMBT2222A
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
30 V
40 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
60 V
75 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
5V
6V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot 250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IC 600 mA
Tj -55...+150°C
TS -55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
IC = 0.1 mA,
IC = 1 mA,
IC = 10 mA,
IC = 150 mA,
IC = 500 mA,
VCE = 10 V
VCE = 10 V
VCE = 10 V
VCE = 10 V
VCE = 10 V 2)
MMBT2222
MMBT2222A
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, f = 1 kHz, IC = 1 mA / 10 mA
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
MMBT2222
MMBT2222A
Input impedance – Eingangs-Impedanz
MMBT2222
MMBT2222A
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
MMBT2222
MMBT2222A
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hfe
hfe
hie
hie
hoe
hoe
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
35 –
50 –
75 –
100 – 300
30 –
40 –
50 – 300
75 – 375
2 k– 8 k
0.25 k– 1.25 k
5 µS
25 µS
– 35 µS
– 200 µS
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1

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[ MMBT2222 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
MMBT2222

GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTORS

TIPTEK
TIPTEK
MMBT2222

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
MMBT2222

NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

Samsung
Samsung
MMBT2222

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Diotec
Diotec


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