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MG800J2YS50A の電気的特性と機能

MG800J2YS50AのメーカーはToshibaです、この部品の機能は「TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 MG800J2YS50A
部品説明 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
メーカ Toshiba
ロゴ Toshiba ロゴ 




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MG800J2YS50A Datasheet, MG800J2YS50A PDF,ピン配置, 機能
MG800J2YS50A
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG800J2YS50A
High power switching applications
Motor control applications
Unit: mm
· The electrodes are isolated from case.
· Enhancement-mode
· Thermal output terminal (TH)
Equivalent Circuit
TH1 1
TH2
G1
Fo1
E1 E1/C2
JEDEC
JEITA
G2
Fo2 TOSHIBA
E2 Weight: 680 g (typ.)
E2
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
Forward current
DC
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Isolation voltage
Screw torque
Terminal: M8
Mounting: M5
Symbol
VCES
VGES
IC
IF
PC
Tj
Tstg
VIsol
¾
¾
Rating
600
±20
800
800
2900
150
-40~125
2500
(AC 1 min)
10
3
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
V
Nm
Nm
2-126A1A
1 2002-10-31

1 Page





MG800J2YS50A pdf, ピン配列
1800
1600
1400
Common emitter
Tj = 25°C
IC – VCE
2015 12
1200
1000
800
10
600
400
200
0
0
9
VGE = 8 V
1234
Collector-emitter voltage VCE (V)
5
MG800J2YS50A
1800
1600
1400
Common emitter
Tj = 125°C
IC – VCE
20 15 12
1200
1000
10
800
600 9
400
VGE = 8 V
200
0
01234
Collector-emitter voltage VCE (V)
5
VCE – VGE
12
Common emitter
10 Tj = 25°C
8
6
4
1600
800
2
IC = 400 A
0
0 4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
VCE – VGE
12
Common emitter
10 Tj = 125°C
8
6
4 1600
800
2
IC = 400 A
0
0 4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
1800
1600
1400
Common emitter
VCE = 5 V
IC – VGE
1200
1000
800
Tj = 125°C 25
600
400
200
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Gate-emitter voltage VGE (V)
16
3
2002-10-31


3Pages


MG800J2YS50A 電子部品, 半導体
1000000
C – VCE
100000
Ciss
10000
1000
Common emitter
VGE = 0
f = 1 MHz
Tj = 25°C
100
01
10
Coss
Crss
100 1000
Collector-emitter voltage VCE (V)
10000
Reverse bias SOA
1000
100
10
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
RG = 4.7 W
1
0 200 400 600
Collector-emitter voltage VCE (V)
800
MG800J2YS50A
1
Tc = 25°C
0.1
0.01
Rth (t) – tw
Diode stage
Transistor stage
0.001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse width tw (s)
10
10000
Scsoa
1000
100
10
Common emitter
VCC = 300 V
Tj <= 125°C
1 tw = 10 ms
0 200
400
600
Collector-emitter voltage VCE (V)
800
6 2002-10-31

6 Page



ページ 合計 : 7 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ MG800J2YS50A データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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Toshiba
Toshiba
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Mitsubishi Electric
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