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UN2117のメーカーはPanasonic Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon PNP epitaxial planer transistor」です。 |
部品番号 | UN2117 |
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部品説明 | Silicon PNP epitaxial planer transistor | ||
メーカ | Panasonic Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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Transistors with built-in Resistor
UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
s Features
q Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
q Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through tape packing and magazine packing.
0.65±0.15
+0.2
2.8 –0.3
+0.25
1.5 –0.05
Unit: mm
0.65±0.15
1
3
2
s Resistance by Part Number
Marking Symbol (R1)
q UN2111
6A
10kΩ
q UN2112
6B
22kΩ
q UN2113
6C
47kΩ
q UN2114
6D
10kΩ
q UN2115
6E
10kΩ
q UN2116
6F
4.7kΩ
q UN2117
6H
22kΩ
q UN2118
6I
0.51kΩ
q UN2119
6K
1kΩ
q UN2110
6L
47kΩ
q UN211D
6M
47kΩ
q UN211E
6N
47kΩ
q UN211F
6O
4.7kΩ
q UN211H
6P
2.2kΩ
q UN211L
6Q
4.7kΩ
q UN211M
EI
2.2kΩ
q UN211N
EW
4.7kΩ
q UN211T
EY
22kΩ
q UN211V
FC
2.2kΩ
q UN211Z
FE
4.7kΩ
(R2)
10kΩ
22kΩ
47kΩ
47kΩ
—
—
—
5.1kΩ
10kΩ
—
10kΩ
22kΩ
10kΩ
10kΩ
4.7kΩ
47kΩ
47kΩ
47kΩ
2.2kΩ
22kΩ
0.1 to 0.3
0.4±0.2
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC-59
Mini Type Package
Internal Connection
R1
B
R2
C
E
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
IC
PT
Tj
Tstg
Ratings
–50
–50
–100
200
150
–55 to +150
Unit
V
V
mA
mW
˚C
˚C
1
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Transistors with built-in Resistor 211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
s Electrical Characteristics (continued) (Ta=25˚C)
Parameter
Symbol
Conditions
UN2111/2112/2113/211L
UN2114
UN2118/2119
UN211D
Resis-
tance
ratio
UN211E
UN211F/211T
UN211H
R1/R2
UN211M
UN211N
UN211V
UN211Z
min typ max Unit
0.8 1.0 1.2
0.17 0.21 0.25
0.08 0.1 0.12
4.7
2.14
0.47
0.17 0.22 0.27
0.047
0.1
1.0
0.21
3
3Pages UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
Transistors with built-in Resistor 211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
Cob — VCB
6
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
5
4
3
2
1
0
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Collector to base voltage VCB (V)
–10000
–3000
–1000
IO — VIN
VO= – 5V
Ta=25˚C
– 300
–100
– 30
–10
–3
–1
– 0.4
–0.6 –0.8 –1.0 –1.2
Input voltage VIN (V)
–1.4
–100
– 30
–10
VIN — IO
VO= – 0.2V
Ta=25˚C
–3
–1
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Output current IO (mA)
Characteristics charts of UN2114
–160
–140
–120
–100
– 80
– 60
– 40
– 20
IC — VCE
IB= –1.0mA
Ta=25˚C
– 0.9mA
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
– 0.3mA
– 0.2mA
– 0.1mA
0
0 –2 –4 –6 –8 –10 –12
Collector to emitter voltage VCE (V)
–100
– 30
–10
VCE(sat) — IC
IC/IB=10
–3
–1
– 0.3
– 0.1
25˚C
Ta=75˚C
– 0.03
– 25˚C
– 0.01
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Collector current IC (mA)
hFE — IC
400
VCE= –10V
300
Ta=75˚C
200
25˚C
– 25˚C
100
0
–1 –3 –10 –30 –100 –300 –1000
Collector current IC (mA)
Cob — VCB
6
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
5
4
3
2
1
0
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Collector to base voltage VCB (V)
–10000
– 3000
–1000
IO — VIN
VO= – 5V
Ta=25˚C
– 300
–100
– 30
–10
–3
–1
– 0.4
–0.6 –0.8 –1.0 –1.2
Input voltage VIN (V)
–1.4
–1000
– 300
–100
VIN — IO
VO= – 0.2V
Ta=25˚C
– 30
–10
–3
–1
– 0.3
– 0.1
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Output current IO (mA)
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 17 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ UN2117 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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