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SI2305DS の電気的特性と機能

SI2305DSのメーカーはVishay Siliconixです、この部品の機能は「P-Channel 1.25-W/ 1.8-V (G-S) MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 SI2305DS
部品説明 P-Channel 1.25-W/ 1.8-V (G-S) MOSFET
メーカ Vishay Siliconix
ロゴ Vishay Siliconix ロゴ 




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SI2305DS Datasheet, SI2305DS PDF,ピン配置, 機能
Si2305DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
–8
rDS(on) (W)
0.052 @ VGS = –4.5 V
0.071 @ VGS = –2.5 V
0.108 @ VGS = –1.8 V
ID (A)
"3.5
"3
"2
TO-236
(SOT-23)
G1
S2
3D
Top View
Si2305DS (A5)*
*Marking Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS
VGS
–8
"8
Continuous Drain Current (TJ = 150_C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b
Maximum Power Dissipation)a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
TA = 25_C
TA = 70_C
TA = 25_C
TA = 70_C
ID
IDM
IS
PD
TJ, Tstg
"3.5
"2.8
"12
–1.6
1.25
0.8
–55 to 150
Unit
V
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambienta
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board.
b. t v5 sec.
Document Number: 70833
S-56947—Rev. C, 28-Dec-98
t v 5 sec
Steady State
Symbol
RthJA
Typical
130
Maximum
100
Unit
_C/W
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600
2-1

1 Page





SI2305DS pdf, ピン配列
Si2305DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
Output Characteristics
12
VGS = 4.5 thru 2.5 V
2V
10
12
10
88
66
4
1.5 V
4
Transfer Characteristics
TC = –55_C
25_C
125_C
2
1, 0.5 V
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
2
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VGS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
0.30
2000
Capacitance
0.25
0.20
0.15
0.10
VGS = 1.8 V
VGS = 2.5 V
0.05
0
0
VGS = 4.5 V
2 4 6 8 10 12
ID – Drain Current (A)
Gate Charge
5
VDS = 4 V
4 ID = 3.5 A
3
2
1
1600
1200
Ciss
800
Coss
400
Crss
0
0246
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
8
On-Resistance vs. Junction Temperature
1.4
VGS = 4.5 V
ID = 3.5 A
1.2
1.0
0.8
0
02468
Qg – Total Gate Charge (nC)
Document Number: 70833
S-56947—Rev. C, 28-Dec-98
10
0.6
–50 –25
0
25 50 75 100 125 150
TJ – Junction Temperature (_C)
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600
2-3


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ SI2305DS データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
SI2305DS

P-Channel 1.25-W/ 1.8-V (G-S) MOSFET

Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
SI2305DS

P-Channel Power MOSFE

TOPSKY
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