DataSheet.jp

IXFH24N50Q の電気的特性と機能

IXFH24N50QのメーカーはIXYS Corporationです、この部品の機能は「HiPerFET Power MOSFETs」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXFH24N50Q
部品説明 HiPerFET Power MOSFETs
メーカ IXYS Corporation
ロゴ IXYS Corporation ロゴ 




このページの下部にプレビューとIXFH24N50Qダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 4 pages

No Preview Available !

IXFH24N50Q Datasheet, IXFH24N50Q PDF,ピン配置, 機能
HiPerFETTM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH/IXFT 24N50Q
IXFH/IXFT 26N50Q
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg,High dv/dt
VDSS
ID25
500 V 24 A
500 V 26 A
trr 250 ns
RDS(on)
0.23
0.20
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)
VDSS
VDGR
V
GS
V
GSM
ID25
IDM
IAR
E
AR
EAS
dv/dt
PD
T
J
T
JM
T
stg
TL
Md
Weight
Symbol
VDSS
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 25°C, Note 1
TC = 25°C
24N50
26N50
24N50
26N50
24N50
26N50
TC = 25°C
TC = 25°C
IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS,
TJ 150°C, RG = 2
TC = 25°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
500
500
±20
±30
24
26
96
104
24
26
30
1.5
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
6
4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in.
g
g
Test Conditions
VGS = 0 V, ID = 250 µA
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
500 V
(TAB)
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
G
S
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
(TAB)
Features
l IXYS advanced low Qg process
l International standard packages
l Low RDS (on)
l Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l Fast switching
l Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 4 mA
2.5
4.5 V
Advantages
IGSS
IDSS
RDS(on)
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = VDSS
VGS = 0 V
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25
Note 2
TJ = 25°C
TJ = 125°C
24N50Q
26N50Q
±100 nA
25
1
0.23
0.20
µA
mA
l Easy to mount
l Space savings
l High power density
© 2001 IXYS All rights reserved
98512G (5/01)

1 Page





IXFH24N50Q pdf, ピン配列
60
TJ = 25OC
50
40
30
VGS=10V
9V
8V
7V
6V
20
10 5V
0
0 4 8 12 16 20
VDS - Volts
Fig.1 Output Characteristics @ Tj = 25°C
2.8
VGS = 10V
2.4
TJ = 125oC
2.0
1.6
TJ = 25oC
1.2
0.8
0
10 20 30 40 50
ID - Amperes
Fig.3 RDS(on) vs. Drain Current
60
30
IXF_26N50Q
25
IXF_24N50Q
20
15
10
5
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TC - Degrees C
Fig.5 Drain Current vs. Case Temperature
IXFH 24N50Q IXFT 24N50Q
IXFH 26N50Q IXFT 26N50Q
50
TJ = 125OC
40
30
VGS=10V
9V
8V
7V
6V
20 5V
10
0
0 4 8 12 16 20
VDS - Volts
Fig.2 Output Characteristics @ Tj = 125°C
2.4
VGS = 10V
2.0
ID = 26A
1.6
ID = 13A
1.2
0.8
25 50 75 100 125 150
TJ - Degrees C
Fig.4 Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
50
40
30
TJ = 125oC
TJ = 25oC
20
10
0
02468
VGS - Volts
Fig.6 Drain Current vs Gate Source Voltage
© 2001 IXYS All rights reserved


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IXFH24N50Q データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
IXFH24N50

(IXFHxxxx) HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching

IXYS Corporation
IXYS Corporation
IXFH24N50

(IXFx2xN50) HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Corporation
IXYS Corporation
IXFH24N50Q

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Corporation
IXYS Corporation
IXFH24N50S

Power MOSFET ( Transistor )

IXYS
IXYS


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap