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2SD1012のメーカーはSanyo Semicon Deviceです、この部品の機能は「Low-Voltage Large-Current Amp Applications」です。 |
部品番号 | 2SD1012 |
| |
部品説明 | Low-Voltage Large-Current Amp Applications | ||
メーカ | Sanyo Semicon Device | ||
ロゴ | |||
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Ordering number : EN0676F
2SD1012
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SD1012
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
Low-Voltage Large-Current
Amplifier Applications
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Storage Temperature
Tstg
Conditions
Ratings
20
15
5
0.7
1.5
250
125
--55 to +125
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7524-004
4.0
0.4
0.5
0.4
2.2 2SD1012G-SPA
2SD1012G-SPA-AC
2SD1012F-SPA
2SD1012F-SPA-AC
0.4
Product & Package Information
• Package
: SPA
• JEITA, JEDEC
: SC-72
• Minimum Packing Quantity : 2,500 pcs./box, 500pcs./bag
Marking
D1012
LOT No.
Electrical Connection
2
3
1
123
1.3 1.3
3.0
3.8
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : SPA
http://www.sanyosemi.com/en/network/
O2412 TKIM/91003TN (KT)/91098HA (KT)/1115MY/1283KI, TS No.676-1/10
1 Page 2SD1012
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1000
7
5
3
2
IC -- VCE
6mA
4mA
2mA
1mA
IB=0mA
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Collector-to-Emitter Voltage,
f T -- IC
VCE
--
V
ITR08384
VCE=10V
100
80
60
40
20
0
0
1000
7
5
3
2
IB -- VBE
VCE=5V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Base-to-Emitter Voltage,
hFE -- IC
VBE
--
V
ITR08385
VCE=2V
100
7
5
3
2
10
1.0
5
3
2
23
5 7 10
23
CollecCtoorbCur-r-entV, ICCB-- mA
5 7 100
ITR08386
f=1MHz
10
7
5
3
1.0
23
5 7 10
23
Collector-to-Base Voltage,
ASO
VCB
--
V
ITR08388
3
2 ICP=1.5A
1.0
7
IC=0.7A
5
100m1s0ms
3
2 DC
0.1 operation
7
5
3
2
0.01
23
5 7 1.0
23
5 7 10
23
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08390
100
7
5
3
2
10
1.0
10000
5
3
2
1000
23 5
10 2 3 5 100 2 3 5 1000 2 3 5
CollVecCtoEr C(suarrte)nt,--IC
--
IC
mA
ITR08387
IC / IB=10
5
3
2
100
5
3
2
10
5
1.0
320
23
5 10 2 3 5 100 2 3 5 1000
CollectoPr CCurr-e-nt,TIaC -- mA
ITR08389
280
240
200
160
120
80
40
0
0
20 40 60 80 100 120 140
Ambient Temperature, Ta -- °C ITR09908
No.676-3/10
3Pages 2SD1012
No.676-6/10
6 Page | |||
ページ | 合計 : 10 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SD1012 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SD1010 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) | Panasonic Semiconductor |
2SD1011 | Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification | Panasonic Semiconductor |
2SD1012 | Low-Voltage Large-Current Amp Applications | Sanyo Semicon Device |
2SD1012 | Bipolar Transistor | ON Semiconductor |