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B500C3200-2200 の電気的特性と機能

B500C3200-2200のメーカーはDiotec Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon-Bridge Rectifiers」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 B500C3200-2200
部品説明 Silicon-Bridge Rectifiers
メーカ Diotec Semiconductor
ロゴ Diotec Semiconductor ロゴ 




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B500C3200-2200 Datasheet, B500C3200-2200 PDF,ピン配置, 機能
Diotec
B…C 3200-2200
Silicon-Bridge Rectifiers
5.6 ±0.2
32 ±0.2
Ø 1.2
10 7.5 7.5
Dimensions / Maße in mm
Silizium-Brückengleichrichter
Nominal current – Nennstrom
3.2 A / 2.2 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
40…500 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
32 x 5.6 x 17 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
9g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Mounting clamp BO 2
Befestigungsschelle BO 2
see page 26
siehe Seite 26
Maximum ratings
Type
Alternating input volt. Rep. peak reverse volt.1)
Typ Eingangswechselspg. Period. Spitzensperrspg.1)
VVRMS [V]
VRRM [V]
B40C 3200-2200
40
80
B80C 3200-2200
80
160
B125C 3200-2200
125
250
B250C 3200-2200
250
500
B380C 3200-2200
380
800
B500C 3200-2200
500
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse volt.1)
Stoßspitzensperrspanng.1)
VRSM [V]
100
200
400
800
1000
1200
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IFRM
15 A 2)
i2t 50 A2s
IFSM 100 A
Tj – 50...+150°C
TS – 50...+150°C
1) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
2) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
266 01.01.99

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[ B500C3200-2200 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
B500C3200-2200

Silicon-Bridge Rectifiers

Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor
B500C3200-2200

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor


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