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ED1602EのメーカーはNXP Semiconductorsです、この部品の機能は「PNP general purpose transistor」です。 |
部品番号 | ED1602E |
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部品説明 | PNP general purpose transistor | ||
メーカ | NXP Semiconductors | ||
ロゴ | |||
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
M3D186
ED1602
PNP general purpose transistor
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 04
1999 Apr 27
1 Page Philips Semiconductors
PNP general purpose transistor
Product specification
ED1602
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CONDITIONS
note 1
VALUE
250
UNIT
K/W
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
ICBO
IEBO
hFE
VCEsat
VBE
Cc
fT
F
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
ED1602C
IE = 0; VCB = −20 V
IE = 0; VCB = −10 V; Tj = 150 °C
IC = 0; VEB = −4 V
IC = −2 mA; VCE = −5 V
ED1602D
ED1602E
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
transition frequency
IC = −10 mA; IB = −0.5 mA
IC = −100 mA; IB = −5 mA
IC = −2 mA; VCE = −5 V
IE = ie = 0; VCB = −10V; f = 1 MHz
IC = −5 mA; VCE = −5 V;
f = 100 MHz
noise figure
IC = −0.2 mA; VCE = −5 V;
RS = 2 kΩ; f = 1 kHz; B = 200 Hz
MIN.
−
−
−
MAX.
−15
−20
−100
UNIT
nA
µA
nA
125
170
223
−
−
−500
−
100
−
190
260
475
−300
−650
−750
5
−
4
mV
mV
mV
pF
MHz
dB
1999 Apr 27
3
3Pages Philips Semiconductors
PNP general purpose transistor
NOTES
Product specification
ED1602
1999 Apr 27
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ ED1602E データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
ED1602 | PNP general purpose transistor | NXP Semiconductors |
ED1602C | PNP general purpose transistor | NXP Semiconductors |
ED1602D | PNP general purpose transistor | NXP Semiconductors |
ED1602E | PNP general purpose transistor | NXP Semiconductors |