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2SJ520のメーカーはSanyo Semicon Deviceです、この部品の機能は「Load Switching Applications」です。 |
部品番号 | 2SJ520 |
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部品説明 | Load Switching Applications | ||
メーカ | Sanyo Semicon Device | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと2SJ520ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
Ordering number:ENN6435
Features
· Low ON resistance.
· 2.5V drive.
P-Channel Silicon MOSFET
2SJ520
Load Switching Applications
Package Dimensions
unit:mm
2083B
[2SJ520]
6.5
5.0
4
2.3
0.5
unit:mm
2092B
0.85
0.7
0.6
12 3
2.3 2.3
1.2
0.5 1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
[2SJ520]
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.85
1
0.6
2
3
0.5
1.2
0 to 0.2
2.3 2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
31000TS (KOTO) TA-2505 No.6435–1/4
1 Page 2SJ520
ID -- VDS
--10
--9
--10
VDS=--10V
--9
ID -- VGS
--8 --8
--7 --7
--2.0V
--6 --6
--5 --5
--4 --4
--3 --3
--2 VGS=--1.5V
--1
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS – V IT00944
RDS(on) -- VGS
100
Tc=25°C
90
80
70
ID=--1A
--5A
60
50
40
30
20
10
0
0
100
7
5
3
2
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS – V IT00946
yfs -- ID
VDS=--10V
--2
--1
Tc=75°C
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
Gate-to-Source Voltage, VGS – V IT00945
RDS(on) -- TC
140
120
100
80
60
IIDD==----15.0.0AA,,VVGGSS==---2-4.5.0VV
40
20
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc – ˚C
IT00947
--10
7 VGS = 0
5
IF -- VSD
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
--0.01
1000
7
5
3
2
23
Tc=--2755°°CC
25°C
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Drain Current, ID – A
SW Time -- ID
td(off)
2 3 5 7 --10
IT00948
VDD=--10V
VGS=--4V
tf
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
10000
7
5
3
2
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD – V IT00949
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
100 tr
7
5
1000
7
5
Ciss
Coss
3
2
10
--0.1
td(on)
23
5 7 --1.0
23
Drain Current, ID – A
5 7 --10
IT00950
3
2 Crss
100
0
--2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Drain-to-Source Voltage, VDS – V IT00951
No.6435–3/4
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SJ520 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SJ520 | Load Switching Applications | Sanyo Semicon Device |
2SJ522 | Ultrahigh-Speed Switching Applications | Sanyo Semicon Device |
2SJ525 | Silicon P Channel MOS Type Field Effect Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SJ526 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |