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D2011 の電気的特性と機能

D2011のメーカーはSeme LABです、この部品の機能は「METAL GATE RF SILICON FET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 D2011
部品説明 METAL GATE RF SILICON FET
メーカ Seme LAB
ロゴ Seme LAB ロゴ 




このページの下部にプレビューとD2011ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

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D2011 Datasheet, D2011 PDF,ピン配置, 機能
TetraFET
D2011UK
MECHANICAL DATA
METAL GATE RF SILICON FET
B
E
D
F
8
7
6
5
O
J
KL
C
1
2
A
3
4
Q
N
M
I
P
H
G
DBC1 Package
PIN 1 Source
PIN 5 Source
PIN 2 Drain
PIN 6 Gate
PIN 3 Drain
PIN 7 Gate
PIN 4 Source
PIN 8 Source
DIM mm
Tol. Inches Tol.
A 6.47 0.08 .255 .003
B 0.76 0.08 .030 .003
C 45° 5° 45°
D 0.76 0.08 .030 .003
E 1.14 0.08 .045 .003
F 2.67 0.08 .105 .003
G 11.73 0.13 .462 .005
H 8.43 0.08 .332 .003
I 7.92 0.08 .312 .003
J 0.20 0.02 .008 .001
K 0.64 0.02 .025 .001
L 0.30 0.02 .012 .001
M 3.25 0.08 .128 .003
N 2.11 0.08 .083 .003
O 6.35SQ 0.08 .250SQ .003
P 1.65 0.51 .065 .020
Q 0.13 max .005 max
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
10W – 28V – 1GHz
SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• LOW Crss
• LOW NOISE
• HIGH GAIN
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 2 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
70W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage
65V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage
±20V
ID(sat)
Drain Current
8A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail: [email protected] Website: http://www.semelab.co.uk
Document Number 2543
Issue 1

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
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[ D2011 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
D2010

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB
D2010UK

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB
D2011

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB
D2011UK

METAL GATE RF SILICON FET

Seme LAB
Seme LAB


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