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D1018UKのメーカーはSeme LABです、この部品の機能は「METAL GATE RF SILICON FET」です。 |
部品番号 | D1018UK |
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部品説明 | METAL GATE RF SILICON FET | ||
メーカ | Seme LAB | ||
ロゴ | |||
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TetraFET
D1018UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
GOLD METALLISED
B
A
E
C (2 pls)
K 12 34
FG
87 65
J
Typ .
D
M
Q
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
100W – 28V – 500MHz
PUSH–PULL
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
PIN 1
PIN 3
PIN 5
PIN 7
PI N O H
DD
SOURCE (COMMON) PIN 2
DRAIN 2
PIN 4
SOURCE (COMMON) PIN 6
GATE 1
PIN 8
DRAIN 1
SOURCE (COMMON)
GATE 2
SOURCE (COMMON)
DIM mm
A 9.14
B 12.70
C 45°
D 6.86
E 0.76
F 9.78
G 19.05
H 4.19
I 3.17
J 1.52R
K 1.65R
M 16.51
N 22.86
O 0.13
P 6.35
Q 10.77
Tol. Inches Tol.
0.13 0.360 0.005
0.13 0.500 0.005
5° 45° 5°
0.13 0.270 0.005
0.13 0.030 0.005
0.13 0.385 0.005
0.25 0.750 0.010
0.13 0.165 0.005
0.13 0.125 0.005
0.13 0.060R 0.005
0.13 0.065R 0.005
0.13 0.650 0.005
0.13 0.900 0.005
0.02 0.005 0.001
0.64 0.250 0.025
0.13 0.424 0.005
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE
• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
APPLICATIONS
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 500 MHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
250W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage *
70V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage *
±20V
ID(sat)
Drain Current *
15A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
* Per Side
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 10/95
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ D1018UK データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
D1018UK | METAL GATE RF SILICON FET | Seme LAB |