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BCW60DのメーカーはInfineon Technologies AGです、この部品の機能は「NPN Silicon AF Transistors」です。 |
部品番号 | BCW60D |
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部品説明 | NPN Silicon AF Transistors | ||
メーカ | Infineon Technologies AG | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとBCW60Dダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 9 pages
NPN Silicon AF Transistors
BCW60, BCX70
For AF input stages and driver applications
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Low noise between 30 Hz and 15 kHz
Complementary types: BCW61, BCX71 (PNP)
3
2
1 VPS05161
Type
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
BCW60FF
BCW60FN
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
Marking
AAs
ABs
ACs
ADs
AFs
ANs
AGs
AHs
AJs
AKs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1 Jan-29-2002
1 Page BCW60, BCX70
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
AC Characteristics
Collector cutoff current
VCB = 32 V, IE = 0
VCB = 45 V, IE = 0
BCW60 /60FF
BCX70
ICBO
Collector cutoff current
VCB = 32 V, IE = 0 , TA = 150 °C BCW60 / 60FF
VCB = 45 V, IE = 0 , TA = 150 °C BCX70
ICBO
Emitter cutoff current
VEB = 4 V, IC = 0
IEBO
DC current gain 1)
IC = 10 µA, VCE = 5 V
hFE
hFE-grp. A/ G
hFE-grp. B/ H
hFE-grp. C/ J/ FF
hFE-grp. D/ K/ FN
nA
- - 20
- - 20
µA
- - 20
- - 20
- - 20 nA
20 140
20 200
40 300
100 460
-
-
-
-
-
DC current gain 1)
IC = 2 mA, VCE = 5 V
hFE
hFE-grp. A/ G
hFE-grp. B/ H
hFE-grp. C/ J/ FF
hFE-grp. D/ K/ FN
120 170 220
180 250 310
250 350 460
380 500 630
DC current gain 1)
IC = 50 mA, VCE = 1 V
hFE
hFE-grp. A/ G
hFE-grp. B/ H
hFE-grp. C/ J/ FF
hFE-grp. D/ K/ FN
50 -
70 -
90 -
100 -
-
-
-
-
1) Pulse test: t ≤=300µs, D = 2%
3
Jan-29-2002
3Pages BCW60, BCX70
Total power dissipation Ptot = f(TS)
Collector-base capacitance CCB = f (VCBO)
Emitter-base capacitance CEB = f (VEBO)
360
mW
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
00 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150
TS
Permissible pulse load
Ptotmax / PtotDC = f (tp)
12 BCW 60/BCX 70
CCBO
(C EBO)
pF
10
EHP00327
8
CEBO
6
4
CCBO
2
0
10 -1
100 V 101
VCBO (VEBO )
Transition frequency fT = f (IC)
VCE = 5V
10 3 BCW 60/BCX 70
Ptot max 5
Ptot DC
D = tp
T
tp
T
EHP00328
102 D =
0
5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
101 0.5
5
10 3 BCW 60/BCX 70
MHz
fT
10 2
5
EHP00330
10 0
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s
tp
10 0
10 1
10 -1
6
10 0
10 1 mA 10 2
ΙC
Jan-29-2002
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PDF ダウンロード | [ BCW60D データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BCW60 | NPN general purpose transistors | NXP Semiconductors |
BCW60 | NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) | Siemens Semiconductor Group |
BCW60 | NPN Silicon AF Transistors | Infineon Technologies AG |
BCW60 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors | Diotec Semiconductor |