DataSheet.jp

BCW60D の電気的特性と機能

BCW60DのメーカーはInfineon Technologies AGです、この部品の機能は「NPN Silicon AF Transistors」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BCW60D
部品説明 NPN Silicon AF Transistors
メーカ Infineon Technologies AG
ロゴ Infineon Technologies AG ロゴ 




このページの下部にプレビューとBCW60Dダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 9 pages

No Preview Available !

BCW60D Datasheet, BCW60D PDF,ピン配置, 機能
NPN Silicon AF Transistors
BCW60, BCX70
 For AF input stages and driver applications
 High current gain
 Low collector-emitter saturation voltage
 Low noise between 30 Hz and 15 kHz
Complementary types: BCW61, BCX71 (PNP)
3
2
1 VPS05161
Type
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
BCW60FF
BCW60FN
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
Marking
AAs
ABs
ACs
ADs
AFs
ANs
AGs
AHs
AJs
AKs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
2=E
3=C
Package
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1 Jan-29-2002

1 Page





BCW60D pdf, ピン配列
BCW60, BCX70
Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
AC Characteristics
Collector cutoff current
VCB = 32 V, IE = 0
VCB = 45 V, IE = 0
BCW60 /60FF
BCX70
ICBO
Collector cutoff current
VCB = 32 V, IE = 0 , TA = 150 °C BCW60 / 60FF
VCB = 45 V, IE = 0 , TA = 150 °C BCX70
ICBO
Emitter cutoff current
VEB = 4 V, IC = 0
IEBO
DC current gain 1)
IC = 10 µA, VCE = 5 V
hFE
hFE-grp. A/ G
hFE-grp. B/ H
hFE-grp. C/ J/ FF
hFE-grp. D/ K/ FN
nA
- - 20
- - 20
µA
- - 20
- - 20
- - 20 nA
20 140
20 200
40 300
100 460
-
-
-
-
-
DC current gain 1)
IC = 2 mA, VCE = 5 V
hFE
hFE-grp. A/ G
hFE-grp. B/ H
hFE-grp. C/ J/ FF
hFE-grp. D/ K/ FN
120 170 220
180 250 310
250 350 460
380 500 630
DC current gain 1)
IC = 50 mA, VCE = 1 V
hFE
hFE-grp. A/ G
hFE-grp. B/ H
hFE-grp. C/ J/ FF
hFE-grp. D/ K/ FN
50 -
70 -
90 -
100 -
-
-
-
-
1) Pulse test: t =300µs, D = 2%
3
Jan-29-2002


3Pages


BCW60D 電子部品, 半導体
BCW60, BCX70
Total power dissipation Ptot = f(TS)
Collector-base capacitance CCB = f (VCBO)
Emitter-base capacitance CEB = f (VEBO)
360
mW
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
00 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150
TS
Permissible pulse load
Ptotmax / PtotDC = f (tp)
12 BCW 60/BCX 70
CCBO
(C EBO)
pF
10
EHP00327
8
CEBO
6
4
CCBO
2
0
10 -1
100 V 101
VCBO (VEBO )
Transition frequency fT = f (IC)
VCE = 5V
10 3 BCW 60/BCX 70
Ptot max 5
Ptot DC
D = tp
T
tp
T
EHP00328
102 D =
0
5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
101 0.5
5
10 3 BCW 60/BCX 70
MHz
fT
10 2
5
EHP00330
10 0
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s
tp
10 0
10 1
10 -1
6
10 0
10 1 mA 10 2
ΙC
Jan-29-2002

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BCW60D データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
BCW60

NPN general purpose transistors

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BCW60

NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BCW60

NPN Silicon AF Transistors

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BCW60

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap