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BF1204 の電気的特性と機能

BF1204のメーカーはNXP Semiconductorsです、この部品の機能は「Dual N-channel dual gate MOS-FET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BF1204
部品説明 Dual N-channel dual gate MOS-FET
メーカ NXP Semiconductors
ロゴ NXP Semiconductors ロゴ 




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BF1204 Datasheet, BF1204 PDF,ピン配置, 機能
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
andbook, halfpage
MBD128
BF1204
Dual N-channel dual gate
MOS-FET
Product specification
Supersedes data of 2000 Nov 13
2001 Apr 25

1 Page





BF1204 pdf, ピン配列
Philips Semiconductors
Dual N-channel dual gate MOS-FET
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Per MOS-FET; unless otherwise specified
VDS drain-source voltage
ID drain current (DC)
IG1 gate 1 current
IG2 gate 2 current
Ptot total power dissipation
Tstg storage temperature
Tj operating junction temperature
Ts 102 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-s
thermal resistance from junction to soldering point
Product specification
BF1204
MIN.
MAX.
UNIT
10 V
30 mA
− ±10 mA
− ±10 mA
200 mW
65
+150
°C
150 °C
VALUE
240
UNIT
K/W
250
handboPotko,thalfpage
(mW)
200
150
100
50
0
0 50
MGS359
100 150 200
Ts (°C)
Fig.2 Power derating curve.
2001 Apr 25
3


3Pages


BF1204 電子部品, 半導体
Philips Semiconductors
Dual N-channel dual gate MOS-FET
Product specification
BF1204
handbook,2h0alfpage
ID
(mA)
16
MCD956
12
8
4
0
0 10 20 30 40 50
IG1 (µA)
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V.
Tj = 25 °C.
Fig.7 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
handbook,1h6alfpage
ID
(mA)
12
MCD957
8
4
0
01
23
45
VGG (V)
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
RG1 = 120 k(connected to VGG); see Fig.19.
Fig.8 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (= VGG); typical values.
handbook,2h0alfpage
ID
(mA)
16
12
8
4
0
0
2
MCD958
RG1 = 68 k
82 k
100 k
120 k
150 k
180 k
220 k
46
VGG = VDS (V)
16
handbook, halfpage
ID
(mA)
12
8
4
0
0
2
MCD959
VGG = 5 V
4.5 V
4V
3.5 V
3V
46
VG2-S (V)
VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
RG1 connected to VGG; see Fig.19.
Fig.9 Drain current as a function of gate 1 (= VGG)
and drain supply voltage; typical values.
VDS = 5 V; Tj = 25 °C.
RG1 = 120 k(connected to VGG); see Fig.19.
Fig.10 Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
2001 Apr 25
6

6 Page



ページ 合計 : 12 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BF1204 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
BF1201

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BF1201R

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BF1201WR

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BF1202

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors


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