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BF1109のメーカーはNXP Semiconductorsです、この部品の機能は「N-channel dual-gate MOS-FETs」です。 |
部品番号 | BF1109 |
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部品説明 | N-channel dual-gate MOS-FETs | ||
メーカ | NXP Semiconductors | ||
ロゴ | |||
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF1109; BF1109R; BF1109WR
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
Supersedes data of 1997 Sep 03
File under Discrete Semiconductors, SC07
1997 Dec 08
1 Page Philips Semiconductors
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1109; BF1109R; BF1109WR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
VDS drain-source voltage
ID drain current (DC)
IG1 gate 1 current
IG2 gate 2 current
Ptot total power dissipation
Tstg storage temperature
Tj operating junction temperature
CONDITIONS
Tamb ≤ 80 °C; note 1
Note
1. Device mounted on a printed-circuit board.
MIN.
−
−
−
−
−
−65
−
MAX.
11
30
±10
±10
200
+150
+150
UNIT
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
handboo2k,5h0alfpage
Ptot
(mW)
200
150
100
50
0
0 40
MGM243
80 120 160
Tamb (°C)
Fig.4 Power derating curve.
1997 Dec 08
3
3Pages Philips Semiconductors
N-channel dual-gate MOS-FETs
Product specification
BF1109; BF1109R; BF1109WR
handbook,1h6alfpage
ID
(mA)
12
MDA617
8
4
0
02
46
8 10
VDS (V)
VG2-S = 4 V.
Tj = 25 °C.
Fig.9 Drain current as a function of drain-source
voltage; typical values.
handbook,1h6alfpage
ID
(mA)
12
MDA618
8
4
0
−8 −6 −4 −2 IG1 (µA) 0
VDS = 9 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
Fig.10 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
120
handbook, halfpage
Vunw
(dBµV)
110
MDA619
100
90
80
0
20 40 60
gain reduction (dB)
VDS = 9 V; VG2nom = 4 V; IDnom = 12 mA; fw = 50 MHz;
funw = 60 MHz; Tamb = 25 °C.
Fig.11 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values (see Fig.18).
1997 Dec 08
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BF1109 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BF1100 | Dual-gate MOS-FETs | NXP Semiconductors |
BF1100R | Dual-gate MOS-FETs | NXP Semiconductors |
BF1100WR | Dual-gate MOS-FET | NXP Semiconductors |
BF1101 | N-channel dual-gate MOS-FETs | NXP Semiconductors |