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BP103BF-3のメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「.NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor」です。 |
部品番号 | BP103BF-3 |
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部品説明 | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | ||
メーカ | Siemens Semiconductor Group | ||
ロゴ | |||
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BP 103 B
BP 103 BF
.NPN-Silizium-Fototransistor
NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Silicon NPN Phototransistor
NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter
BP 103 B
BP 103 BF
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B)
und bei 880 nm (BP 103 BF)
q Hohe Linearität
q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of
880 nm (BP 103 BF)
q High linearity
q 5 mm LED plastic package
q Available in groups
Applications
q Computer-controlled flashes
q Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
204
1 Page BP 103 B
BP 103 BF
Bezeichnung
Description
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA = 25 oC
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
ICS
VEC
Ptot
RthJA
Wert
Value
100
7
200
375
Einheit
Unit
mA
V
mW
K/W
Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
VCEO = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
LxB
LxW
H
ϕ
CCE
ICEO
Wert
Value
BP 103 B
850
BP 103 BF
900
Einheit
Unit
nm
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
0.12
0.045
mm2
0.5 x 0.5 0.45 x 0.45 mm x mm
4.1 ... 4.7 2.4 ... 2.8 mm
± 25
6.5
5 (≤100)
± 12
5.0
1 (≤200)
Grad
deg.
pF
nA
Semiconductor Group
206
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BP103BF-3 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BP103BF-2 | NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |
BP103BF-2 | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | Siemens Semiconductor Group |
BP103BF-2 | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | Siemens Semiconductor Group |
BP103BF-3 | NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |