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BP103BFのメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「.NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor」です。 |
部品番号 | BP103BF |
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部品説明 | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | ||
メーカ | Siemens Semiconductor Group | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとBP103BFダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
.NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 300
SFH 300 FA
SFH 300
SFH 300 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
q Hohe Linearität
q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
q High linearity
q 5 mm LED plastic package
q Available in groups
Applications
q Computer-controlled flashes
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Semiconductor Group
240
10.95
1 Page SFH 300
SFH 300 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Ptot
RthJA
Wert
Value
200
375
Einheit
Unit
mW
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
CCE
ICEO
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 300 SFH 300 FA
850 870 nm
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
0.12
0.12
mm2
0.5 × 0.5 0.5 × 0.5 mm × mm
4.1 ... 4.7 4.1 ... 4.7 mm
± 25 ± 25 Grad
deg.
6.5 6.5 pF
5 (≤ 100) 5 (≤ 100) nA
Semiconductor Group
242
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BP103BF データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BP103B | NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |
BP103B | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | Siemens Semiconductor Group |
BP103B-2 | NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter | Siemens Semiconductor Group |
BP103B-2 | .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | Siemens Semiconductor Group |