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BP103 の電気的特性と機能

BP103のメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BP103
部品説明 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
メーカ Siemens Semiconductor Group
ロゴ Siemens Semiconductor Group ロゴ 




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BP103 Datasheet, BP103 PDF,ピン配置, 機能
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BP 103
BP 103
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität
q TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieβharz, mit Basisanschluβ
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
q High linearity
q TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgeräte
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Computer-controlled flashes
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BP 103
Q62702-P75
BP 103-2
Q62702-P79-S1
BP 103-3
Q62702-P79-S2
BP 103-4
BP 103-51)
Q62702-P79-S4
Q 62702-P781
1) Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
211
10.95

1 Page





BP103 pdf, ピン配列
BP 103
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light a
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
L× B
L×W
H
ϕ
IPCB
IPCB
CCE
CCB
CEB
ICEO
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
420 ... 1130 nm
0.12
0.5 × 0.5
0.2 ... 0.8
mm2
mm × mm
mm
± 55 Grad
deg.
0.9 µA
2.7 µA
8
11
19
5 (100)
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
213


3Pages


BP103 電子部品, 半導体
Collector-emitter capacitance
CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-base capacitance
CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
BP 103
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
216

6 Page



ページ 合計 : 6 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BP103 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

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部品番号部品説明メーカ
BP10-005

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
BP10-01

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
BP10-02

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
BP10-04

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor


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