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BS170 の電気的特性と機能

BS170のメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BS170
部品説明 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
メーカ Siemens Semiconductor Group
ロゴ Siemens Semiconductor Group ロゴ 




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BS170 Datasheet, BS170 PDF,ピン配置, 機能
BS 170
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
• N channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• VGS(th) = 0.8...2.0V
Type
BS 170
Type
BS 170
VDS
60 V
ID
0.3 A
Ordering Code
Q67000-S076
Pin 1
S
Pin 2
G
RDS(on)
5
Package
TO-92
Marking
BS 170
Tape and Reel Information
E6288
Pin 3
D
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 k
Gate source voltage
Gate-source peak voltage,aperiodic
Continuous drain current
TA = 25 °C
DC drain current, pulsed
TA = 25 °C
Power dissipation
TA = 25 °C
Symbol
VDS
VDGR
VGS
Vgs
ID
IDpuls
Ptot
Values
60
60
± 14
± 20
0.3
1.2
0.63
Unit
V
A
W
Semiconductor Group
1
12/05/1997

1 Page





BS170 pdf, ピン配列
BS 170
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
VDS2 * ID * RDS(on)max, ID = 0.2 A
Input capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Output capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Turn-on delay time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A
RG = 50
Rise time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A
RG = 50
Turn-off delay time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A
RG = 50
Fall time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A
RG = 50
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
0.12
-
-
-
-
-
-
-
0.18 -
40 60
15 25
5 10
58
8 12
12 16
17 22
Unit
S
pF
ns
Semiconductor Group
3
12/05/1997


3Pages


BS170 電子部品, 半導体
BS 170
Typ. output characteristics
ID = ƒ(VDS)
parameter: tp = 80 µs , Tj = 25 °C
0.70 Ptot = 1W
A
0.60
ID 0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
lkj i h
VGS [V]
ga
2.0
b 2.5
c 3.0
d 3.5
e 4.0
f
f 4.5
g 5.0
eh
i
6.0
7.0
j 8.0
d k 9.0
l 10.0
c
0.05
0.00
b
a
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V
VDS
5.0
Typ. drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(ID)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C
16
RDS (on)
12
ab c d
e
10
8
6
4
2 VGS [V] =
abcdef
32.05 3.5 4.0 4.5 5.0 6.0
0
ghi j
7.0 8.0 9.0 10.0
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40
A
ID
f
hj
g
i
0.60
Typ. transfer characteristics ID = f(VGS)
parameter: tp = 80 µs
VDS2 x ID x RDS(on)max
0.75
A
0.65
ID 0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VGS
Typ. forward transconductance gfs = f (ID)
parameter: tp = 80 µs,
VDS2 x ID x RDS(on)max
0.30
S
0.26
gfs 0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 A 0.65
ID
Semiconductor Group
6
12/05/1997

6 Page



ページ 合計 : 7 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BS170 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
BS170

TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement)

Motorola  Inc
Motorola Inc
BS170

N-channel vertical D-MOS transistor

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BS170

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BS170

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor


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