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1N4757AのメーカーはVishay Telefunkenです、この部品の機能は「Silicon Power Z-Diodes」です。 |
部品番号 | 1N4757A |
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部品説明 | Silicon Power Z-Diodes | ||
メーカ | Vishay Telefunken | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと1N4757Aダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
Silicon Power Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Very high stability
D Low reverse current level
D VZ–tolerance ± 5%
1N4728A...1N4761A
Vishay Telefunken
Applications
Voltage stabilization
94 9369
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Power dissipation
Z–current
xTest Conditions
Tamb 50°C
Junction temperature
Storage temperature range
Type
Symbol
PV
IZ
Tj
Tstg
Value
1
PV/VZ
200
–65...+200
Unit
W
mA
°C
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Junction ambient
l=9.5mm (3/8”), TL=constant
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Forward voltage
IF=200mA
Type
Symbol
RthJA
Value
100
Unit
K/W
Symbol Min Typ Max Unit
VF 1.2 V
Document Number 85587
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600
1 (4)
1 Page Dimensions in mm
technical drawings
according to DIN
specifications
∅ 0.85 max.
Standard Glass Case
54 B 2 DIN 41880
JEDEC DO 41
Weight max. 0.3 g
26 min.
1N4728A...1N4761A
Vishay Telefunken
Cathode Identification
94 9368
∅ 2.5 max.
4.1 max.
26 min.
Document Number 85587
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600
3 (4)
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1N4757A データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1N4757 | Zener Diode ( Rectifier ) | General Semiconductor |
1N4757 | 1.0 Watt Zener Diode 3.3 to 100 Volts | Micro Commercial Components |
1N4757 | SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES | GOOD-ARK Electronics |
1N4757 | SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES | Semtech Corporation |