DataSheet.jp

BUZ310 の電気的特性と機能

BUZ310のメーカーはSiemens Semiconductor Groupです、この部品の機能は「SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BUZ310
部品説明 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
メーカ Siemens Semiconductor Group
ロゴ Siemens Semiconductor Group ロゴ 




このページの下部にプレビューとBUZ310ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 9 pages

No Preview Available !

BUZ310 Datasheet, BUZ310 PDF,ピン配置, 機能
SIPMOS ® Power Transistor
• N channel
• Enhancement mode
BUZ 310
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 310
VDS
ID
1000 V 2.5 A
RDS(on)
5
Maximum Ratings
Parameter
Drain source voltage
Drain-gate voltage
RGS = 20 k
Continuous drain current
TC = 25 °C
Pulsed drain current
TC = 25 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-218 AA
Ordering Code
C67078-A3101-A2
Symbol
VDS
VDGR
ID
IDpuls
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Values
1000
Unit
V
1000
2.5
A
10
± 20
V
W
78
-55 ... ...+ 150 °C
-55 ... ...+ 150
1.6
K/W
75
C
55 / 150 / 56
Semiconductor Group
1
07/96

1 Page





BUZ310 pdf, ピン配列
BUZ 310
Electrical Characteristics, at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Values
typ. max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
VDS2 * ID * RDS(on)max, ID = 1.5 A
Input capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Output capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Turn-on delay time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2 A
RGS = 50
Rise time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2 A
RGS = 50
Turn-off delay time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2 A
RGS = 50
Fall time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2 A
RGS = 50
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
0.7
-
-
-
-
-
-
-
1.5 -
1600 2100
70 120
30 55
30 45
40 60
110 140
60 80
Unit
S
pF
ns
Semiconductor Group
3
07/96


3Pages


BUZ310 電子部品, 半導体
BUZ 310
Typ. output characteristics
ID = ƒ(VDS)
parameter: tp = 80 µs
6.0
Ptot = 78W
A
5.0
ID
4.5
l kj i h
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0 10 20 30 40
VGS [V]
g a 4.0
b 4.5
c 5.0
f
d 5.5
e 6.0
e f 6.5
g 7.0
h 7.5
d
i 8.0
j 9.0
k 10.0
l
c
20.0
b
a
50 V 65
VDS
Typ. transfer characteristics ID = f (VGS)
parameter: tp = 80 µs
VDS2 x ID x RDS(on)max
3.0
Typ. drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(ID)
parameter: VGS
16
a
RDS (on)
12
b
cde
f
10
8
g
h
6
i
j
4k
2 VGS [V] =
abc
4.05 5.0 5.5
0
0.0 1.0
def g
6.0 6.5 7.0 7.5
2.0 3.0
hi j k
8.0 9.0 10.0 20.0
4.0 A
ID
5.5
Typ. forward transconductance gfs = f (ID)
parameter: tp = 80 µs,
VDS2 x ID x RDS(on)max
2.0
A
ID
2.0
gfs
S
1.5 1.0
1.0
0.5
0.0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VGS
Semiconductor Group
6
0.5
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
A 3.0
ID
07/96

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BUZ310 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
BUZ31

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ31

SIPMOS Power Transistor

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ31

Power MOS Transistors

Comset Semiconductors
Comset Semiconductors
BUZ31

Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap