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BUZ20 の電気的特性と機能

BUZ20のメーカーはInfineon Technologies AGです、この部品の機能は「SIPMOS Power Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BUZ20
部品説明 SIPMOS Power Transistor
メーカ Infineon Technologies AG
ロゴ Infineon Technologies AG ロゴ 




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BUZ20 Datasheet, BUZ20 PDF,ピン配置, 機能
SIPMOS ® Power Transistor
BUZ 20
• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 20
VDS
100 V
ID
13.5 A
RDS(on)
0.2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 28 ˚C
Pulsed drain current
TC = 25 ˚C
Avalanche current,limited by Tjmax
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID = 13.5 A, VDD = 25 V, RGS = 25
L = 486 µH, Tj = 25 ˚C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 ˚C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Package
TO-220 AB
Symbol
ID
IDpuls
IAR
EAR
EAS
VGS
Ptot
Tj
Tstg
RthJC
RthJA
Ordering Code
C67078-S1302-A2
Values
13.5
Unit
A
54
13.5
7.9 mJ
59
± 20
75
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1.67
75
E
55 / 150 / 56
V
W
˚C
K/W
Data Sheet
1
05.99

1 Page





BUZ20 pdf, ピン配列
BUZ 20
Electrical Characteristics, at Tj = 25˚C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
min.
Dynamic Characteristics
Transconductance
VDS2 * ID * RDS(on)max, ID = 8.5 A
Input capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Output capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
Turn-on delay time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 3 A
RGS = 50
Rise time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 3 A
RGS = 50
Turn-off delay time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 3 A
RGS = 50
Fall time
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 3 A
RGS = 50
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
3
-
-
-
-
-
-
-
Values
typ.
max.
4.7 -
400 530
120 180
70 105
10 15
45 70
55 75
40 55
Unit
S
pF
ns
Data Sheet
3
05.99


3Pages


BUZ20 電子部品, 半導体
BUZ 20
Typ. output characteristics
ID = ƒ(VDS)
parameter: tp = 80 µs
30 Ptot = 75W
Al
26
ID 24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
048
k
VGS [V]
a 4.0
j b 4.5
c 5.0
d
ie
5.5
6.0
f 6.5
h
g 7.0
g h 7.5
i 8.0
f
j 9.0
e k 10.0
l 20.0
d
c
b
a
12 16 20 V 26
VDS
Typ. drain-sourceon-resistance
RDS (on) = ƒ(ID)
parameter: VGS
0.65
0.55
RDS (on)0.50
a bc d e f g h
i
j
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
k
0.10 VGS [V] =
0.05
ab
4.05 5.0
0.00
04
cdef g
5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
8 12 16
hi j k
8.0 9.0 10.0 20.0
20 24 A 30
ID
Typ. transfer characteristics ID = f (VGS)
parameter: tp = 80 µs
VDS2 x ID x RDS(on)max
24
A
20
ID
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VGS
Typ. forward transconductance gfs = f (ID)
parameter: tp = 80 µs,
VDS2 x ID x RDS(on)max
6.0
S
5.0
gfs
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0 4 8 12 16 A 22
ID
Data Sheet
6
05.99

6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BUZ20 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
BUZ20

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ20

12A/ 100V/ 0.200 Ohm/ N-Channel Power MOSFET

Intersil Corporation
Intersil Corporation
BUZ20

SIPMOS Power Transistor

Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ201

main ratings

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group


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