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BZT03-C120 の電気的特性と機能

BZT03-C120のメーカーはNXP Semiconductorsです、この部品の機能は「Voltage regulator diodes」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BZT03-C120
部品説明 Voltage regulator diodes
メーカ NXP Semiconductors
ロゴ NXP Semiconductors ロゴ 




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BZT03-C120 Datasheet, BZT03-C120 PDF,ピン配置, 機能
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, 2 columns
M3D116
BZT03 series
Voltage regulator diodes
Product specification
Supersedes data of April 1992
1996 Jun 11

1 Page





BZT03-C120 pdf, ピン配列
Philips Semiconductors
Voltage regulator diodes
Product specification
BZT03 series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Total series
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VF forward voltage
CONDITIONS
IF = 0.5 A; see Fig.5
MAX.
1.2
UNIT
V
Per type when used as voltage regulator diodes
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
TYPE
No.
SUFFIX
(1)
WORKING VOLTAGE
VZ (V) at IZ
MIN. NOM. MAX.
DIFFERENTIAL TEMPERATURE TEST
REVERSE CURRENT
RESISTANCE COEFFICIENT CURRENT at REVERSE VOLTAGE
rdif () at IZ
TYP. MAX.
SZ (%/K) at IZ
MIN. MAX.
IZ (mA)
IR (µA)
MAX.
VR (V)
C7V5
C8V2
C9V1
C10
7.0 7.5 7.9
1
2 0.00 0.07
100
7.7 8.2 8.7
1
2 0.03 0.08
100
8.5 9.1 9.6 2 4 0.03 0.08 50
9.4 10 10.6
2
4 0.05 0.09
50
750
600
20
10
5.6
6.2
6.8
7.5
C11
10.4 11 11.6
4
7 0.05 0.10
50
4
8.2
C12
11.4 12 12.7
4
7 0.05 0.10
50
3
9.1
C13
12.4 13 14.1
5 10 0.05 0.10
50
2 10
C15
13.8 15 15.6
5 10 0.05 0.10
50
1 11
C16
15.3 16 17.1
6 15 0.06 0.11
25
1 12
C18
16.8 18 19.1
6 15 0.06 0.11
25
1 13
C20
18.8 20 21.2
6 15 0.06 0.11
25
1 15
C22
20.8 22 23.3
6 15 0.06 0.11
25
1 16
C24
22.8 24 25.6
7 15 0.06 0.11
25
1 18
C27
25.1 27 28.9
7 15 0.06 0.11
25
1 20
C30
28 30 32
8 15 0.06 0.11
25
1 22
C33
31 33 35
8 15 0.06 0.11
25
1 24
C36 34 36 38 21 40 0.06 0.11 10
1 27
C39 37 39 41 21 40 0.06 0.11 10
1 30
C43 40 43 46 24 45 0.07 0.12 10
1 33
C47 44 47 50 24 45 0.07 0.12 10
1 36
C51 48 51 54 25 60 0.07 0.12 10
1 39
C56 52 56 60 25 60 0.07 0.12 10
1 43
C62 58 62 66 25 80 0.08 0.13 10
1 47
C68 64 68 72 25 80 0.08 0.13 10
1 51
C75 70 75 79 30 100 0.08 0.13 10
1 56
C82 77 82 87 30 100 0.08 0.13 10
1 62
C91 85 91 96 60 200 0.09 0.13 5
1 68
1996 Jun 11
3


3Pages


BZT03-C120 電子部品, 半導体
Philips Semiconductors
Voltage regulator diodes
Product specification
BZT03 series
TYPE
NUMBER
BZT03-C180
BZT03-C200
BZT03-C220
BZT03-C240
BZT03-C270
BZT03-C300
BZT03-C330
BZT03-C360
BZT03-C390
BZT03-C430
BZT03-C470
BZT03-C510
REVERSE
BREAKDOWN
VOLTAGE
V(BR)R (V)
at Itest
MIN.
168
188
208
228
251
280
310
340
370
400
440
480
TEMPERATURE
COEFFICIENT
SZ (%/K) at Itest
MIN.
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
MAX.
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
TEST
CURRENT
CLAMPING
VOLTAGE
Itest
(mA)
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
V(CL)R (V)
MAX.
249
276
305
336
380
419
459
498
537
603
655
707
at IRSM
(A)
note 1
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.72
0.65
0.60
0.56
0.50
0.45
0.42
REVERSE
CURRENT at
STAND-OFF
VOLTAGE
IR (µA)
MAX.
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
at VR
(V)
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
Note
1. Non-repetitive peak reverse current in accordance with “IEC 60-1, Section 8” (10/1000 µs pulse); see Fig.4.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE UNIT
Rth j-tp
Rth j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
lead length = 10 mm
note 1
46
100
K/W
K/W
Note
1. Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thickness of Cu-layer 40 µm, see Fig.6.
For more information please refer to the “General Part of associated Handbook”.
1996 Jun 11
6

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BZT03-C120 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
BZT03-C12

Voltage regulator diodes

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BZT03-C120

Voltage regulator diodes

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors


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