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BCW30のメーカーはMulticompです、この部品の機能は「PNP General Purpose Amplifier」です。 |
部品番号 | BCW30 |
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部品説明 | PNP General Purpose Amplifier | ||
メーカ | Multicomp | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとBCW30ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 3 pages
Features:
tIdeally suited for automatic insertion
tEpitaxial planar die construction
Applications:
t
and switching applications
BCW30
SOT-23
Ordering Information
Type No.
BCW30
Marking:
C2X
Maximum Ratings & Characteristics: Tamb=25o
Parameter:
Collector - Base Voltage
Collector - Emitter Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current - Continuous
Total Device Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Package Code:
SOT-23
Symbol:
VCBO
VCEO
Vebo
IC
PD
RBJA
Tj, Tstg
Value:
-32
-32
-5
-100
300
417
-55 to +150
Unit:
V
V
V
mA
mW
oC/W
oC
Maximum Ratings & Characteristics: Tamb=25o
Parameter:
Collector - Base Breakdown Voltage
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Emmiter - Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector - Emitter Saturation Voltage
Base Emitter On Voltage
Output Capacitance
Symbol:
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
hFE
VCE(sat)
VBE(on)
Cob
Test Conditions:
IC=-10μA, IE=0
IC=-2.0mA, IB=0
IE=-10μA, IC=0
VCB=-32V, IE=0
VCE=-5V, IC=-2.0mA
IC=-10mA, IB=-0.5mA
IC=-2mA ,VCE=-5V
VCB=-10V IE=-0 f=1MHz
Min:
-32
-32
-5
215
-0.6
Typ: Max: Unit:
V
V
V
-0.1 μA
500
-0.3 V
-0.75 V
7.0 pF
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1 Page Package Outline
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O[[W!^^^JWJJV\R
3Pages | |||
ページ | 合計 : 3 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ BCW30 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
BCW30 | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS | STMicroelectronics |
BCW30 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Samsung semiconductor |
BCW30 | PNP General Purpose Amplifier | Fairchild Semiconductor |
BCW30 | PNP general purpose transistors | NXP Semiconductors |