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PDF 2SC4901 Data sheet ( 特性 )

部品番号 2SC4901
部品説明 NPN TRANSISTOR
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2SC4901 Datasheet, 2SC4901 PDF,ピン配置, 機能
2SC4901 高频低噪声宽带晶体管
北京鼎霖电子科技
2SC4901 NPN TRANSISTOR
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
1.简述:
本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏
电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
主要应用于超高频微波VHFUHF CATV 高频宽带低噪声放大器中,
如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、
射频模块和光纤模块中的中继放大器等产品;
集电极-基极击穿电压BVCEO=15V集电极电流IC=50mA,特征频率
fT=9GHz;
封装形式:SOT323 或者 SOT23,本体印字(Marking)YK-
Collector 3
1
Base
Emitter 2
3
2
1
SOT-323 or SOT23
2.极限参数(Tamb=25℃):
参数名称
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极电流
耗散功率
最高结温
储存温度
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IC
PT
TJ
Tstg
额定值
15
9
1.5
50
150SOT323,250(SOT23)
150
-65+150
3.电参数及规格(Tamb=25℃):
参数名称
集电极截止电流
直流电流放大系数
特征频率
反馈电容
集电极电容
发射极电容
插入功率增益
噪声系数
最大单边功率增益
输出电压
输出功率在 1dB 的增
益压缩
二阶互调失真
符号
ICBO
hFE
fT
Cre
Cc
Ce
S212
NF
GUM
VO
PL1
d2
测试条件
最小值
VCB=5V,IE=0
VCE=5V,IC=20mA
VCE=5V,IC=20mA
IC=iC=0,VCB=5V,f=1MHz
IE=ie=0,VCB=5V,f=1MHz
IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz
-
60
-
-
-
-
VCE=5V,IC=20mA, f=900MHz
VCE=5V,IC=5mA,f=900MHz
VCE=5V,IC=20mA,f=900MHz
VCE=5V,IC=5mA,f=2GHz
VCE=5V,IC=20mA, f=900MHz
VCE=5V,IC=20mA, f=2GHz
13
-
-
-
-
-
VCE=5V,IC=20mA,RL=50
f=900MHz
VCE=5V,IC=20mA,
VO=75mV,f(p+q) = 900MHz
-
-
典型值
-
120
9
0.4
0.5
1.0
14
1.2
1.6
1.9
15
9
270
17
-50
单位
V
V
V
mA
mW
最大值
0.05
250
-
-
-
-
-
1.6
2.1
-
-
-
-
-
单位
μA
GHz
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mV
dBm
dB
www.bjtoplink.com

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