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PDF 2SC1623 Data sheet ( 特性 )
| 部品番号 | 2SC1623 |
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| 部品説明 | NPN Transistor | ||
| メーカ | HOTTECH | ||
| ロゴ |  |
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FEATURES
High DC current gain :hFE=200(Typ)VCE=6V, IC=1mA
High voltage:VCEO=50V
Plastic-Encapsulate Transistors
2SC1623 (NPN)
MAXIMUM RATINGS (TA=25
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
unless otherwise noted)
Symbol
Value
VCBO
60
VCEO
50
VEBO
5
IC 0.1
PC 0.2
TJ 150
Tstg -55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
Collector-base breakdown voltage
VCBO IC=100μA,IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO IC=1mA,IB=0
Emitter-base breakdown voltage
VEBO IE=100μA,IC=0
Collector cut-off current
ICBO VCB=60V,IE=0
Emitter cut-off current
IEBO VEB=5V,IC=0
DC current gain
hFE VCE=6V,IC=1mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=100mA,IB=10mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=100mA,IB=10mA
Transition frequency
fT VCE=6V,IC=10mA
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTO
SOT-23
Min Typ Max Unit
60 V
50 V
5V
0.1 μA
0.1 μA
90 200 600
0.3 V
1V
250 MHz
CLASSIFICATIONOF hFE
Rank
L4
Range
90-180
L5
135-270
L6
200-400
L7
300-600
GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO,. LTD.
Page:P2-P1
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| 2SC1621 | HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |  NEC |
| 2SC1621 | NPN Silicon Epitaxial Transistor |  Kexin |
| 2SC1622 | AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD | NEC |
| 2SC1622A | AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD | NEC |