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3CG1955 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3CG1955
部品説明 SILICON PNP TRANSISTOR
メーカ LZG
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3CG1955 Datasheet, 3CG1955 PDF,ピン配置, 機能
2SA1955(3CG1955)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:一般放大和静音开关
Purpose: General purpose amplifier and muting switch application .
特点:低饱和,大电流。
Features: Low saturation voltage, large collector current.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -15 V
VCEO -12 V
VEBO
-5.0
V
IC
-400
mA
IB -50 mA
PC 100 mW
Tj 150 ℃
Tstg
-55~150
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)(1)
VCE(sat)(2)
VBE(sat)
fT
Cob
Ron
VCB=-15V
VEB=-5.0V
VCE=-2.0V
IC=-10mA
IC=-200mA
IC=-200mA
VCE=-2.0V
VCB=-10V
IE=0
IE=0
IC=0
IC=-10mA
IB=-0.5mA
IB=-10mA
IB=-10mA
IC=-10mA
f=1.0MHz
IB=-1.0mA Vin=-1.0Vrms f=1KHZ
ton
Tstg IB1=-IB2=5.0mA
tf
hFE 分档/hFE Classifications:
hFE 分档
hFEClassifications
hFE 范围
hFE Range
印章
Marking
A
300~600
HGAA
最小值
Min
300
80
数值
Rating
典型值
Typ
-0.015
-0.11
-0.87
130
4.2
0.9
40
280
45
最大值
Max
-0.1
-0.1
1000
-0.03
-0.25
-1.2
单位
Unit
μA
μA
V
V
V
MHz
pF
Ω
ns
B
500~1000
HGAB
http://www.lzg.so

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