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3CG1365 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3CG1365
部品説明 SILICON PNP TRANSISTOR
メーカ LZG
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3CG1365 Datasheet, 3CG1365 PDF,ピン配置, 機能
2SA1365(3CG1365)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途: 用于小型马达驱动、继电器及电源驱动。
Purpose: Small type motor drive, relay drive, power supply.
特点: 饱和压降小,直流电流增益高、线性好,集电极电流大,特征频率高。
Features: Low collector to emitter saturation voltage, excellent linearity of DC forward
current Gain, high collector current, high gain band width product.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值 单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -25 V
VCEO -20 V
VEBO
-4.0
V
IC
-700
mA
ICM
-1.0
A
PC 150 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test condition
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
IC=-10μA
IC=-100μA
IE=-10μA
VCB=-25V
VEB=-2.0V
VCE=-4.0V
IC=-500mA
VCE=-6.0V
IE=0
RBE=∞
IC=0
IE=0
IC=0
IC=-100mA
IB=-25mA
IE=10mA
最小值
Min
-25
-20
-4.0
150
数值
Rating
典型值
Typ
-0.2
180
最大值
Max
-1.0
-1.0
800
-0.5
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
V
MHz
hFE 分档、印章/hFE Classifications、Marking:
hFE 分档
hFE Classifications
E
hFE 范围
hFE Range
150~300
印章
Marking
HAE
F
250~500
HAF
G
400~800
HAG
http://www.lzg.so

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