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2SA1162のメーカーはBLUE ROCKET ELECTRONICSです、この部品の機能は「Silicon PNP transistor」です。 |
部品番号 | 2SA1162 |
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部品説明 | Silicon PNP transistor | ||
メーカ | BLUE ROCKET ELECTRONICS | ||
ロゴ | |||
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2SA1162
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
电压和集电极直流电流大,极好的放大线性,高放大,噪声系数低,与 2SC2712 互补。
High voltage and current, excellent hFE linearity, high hFE, low noise, complementary to 2SC2712.
用途 / Applications
用于普通音频放大。
Audio frequency general purpose amplifier applications.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
3
2
1
PIN1:Emitter
PIN 2:Base PIN 3:Collector
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking
hFE Classifications
Symbol
hFE Range
O
70~140
Y
120~240
Marking
HSO
HSY
GR
200~400
HSG
http://www.fsbrec.com
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1 Page 2SA1162
Rev.E Mar.-2016
电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
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Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)
说明:
1、预热温度 25~150℃,时间 60~90sec;
2、峰值温度 245±5℃,时间持续为 5±0.5sec;
3、焊接制程冷却速度为 2~10℃/sec.
Note:
1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec.
2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec.
3. Cooling Speed: 2~10℃/sec.
耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions
温度:260±5℃
时间:10±1 sec.
Temp.:260±5℃
Time:10±1 sec
包装规格 / Packaging SPEC.
卷盘包装 / REEL
Package Type
封装形式
SOT-23
Units/Reel
只/卷盘
3,000
Reels/Inner Box
卷盘/盒
10
Units 包装数量
Units/Inner Box Inner Boxes/Outer Box
只/盒
盒/箱
30,000
8
Units/Outer Box
只/箱
240,000
Dimension 包装尺寸 (unit:mm3)
Reel
Inner Box 盒
Outer Box 箱
7〞×8 180×120×180 385×257×392
使用说明 / Notices
http://www.fsbrec.com
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ページ | 合計 : 6 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SA1162 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA1160 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SA1160 | Plastic-Encapsulated Transistors | TRANSYS Electronics Limited |
2SA1162 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SA1162 | PNP Transistor | HOTTECH |