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IRF830のメーカーはBLUE ROCKET ELECTRONICSです、この部品の機能は「N-CHANNEL MOSFET」です。 |
部品番号 | IRF830 |
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部品説明 | N-CHANNEL MOSFET | ||
メーカ | BLUE ROCKET ELECTRONICS | ||
ロゴ | |||
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IRF830
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-220 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package.
特征 / Features
低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Low gate charge, low crss, fast switching.
用途 / Applications
用于高效 DC/DC 转换和功率开关。
These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power
supplies.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
12 3
PIN1:G
PIN 2:D
PIN 3:S
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking
见印章说明。 See Marking Instructions.
http://www.fsbrec.com
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1 Page IRF830
Rev.E Mar.-2016
电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve
DATA SHEET
http://www.fsbrec.com
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3Pages IRF830
Rev.E Mar.-2016
波峰焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for Dip Soldering(Pb-Free)
DATA SHEET
说明:
1、预热温度 25~150℃,时间 60~90sec;
2、峰值温度 255±5℃,时间持续为 5±0.5sec;
3、焊接制程冷却速度为 2~10℃/sec.
Note:
1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec.
2.Peak Temp.:255±5℃, Duration:5±0.5sec.
3. Cooling Speed: 2~10℃/sec.
耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions
温度:270±5℃
时间:10±1 sec.
Temp.:270±5℃
Time:10±1 sec
包装规格 / Packaging SPEC.
散件包装 / BULK
Package Type
封装形式
TO-220/F
Units/Bag
只/袋
200
Bags/Inner Box
袋/盒
10
Units 包装数量
Units/Inner Box Inner Boxes/Outer Box
只/盒
盒/箱
2,000
5
Units/Outer Box
只/箱
10,000
Dimension 包装尺寸 (unit:mm3)
Bag 袋
Inner Box 盒
Outer Box 箱
135×190 237×172×102 560×245×195
套管包装 / TUBE
Package Type
封装形式
TO-220/F
Units/Tube
只/套管
50
Tubes/Inner Box
套管/盒
20
Units 包装数量
Units/Inner Box Inner Boxes/Outer Box
只/盒
盒/箱
1,000
5
Units/Outer Box
只/箱
5,000
Dimension 包装尺寸 (unit:mm3)
Tube 套管
Inner Box 盒
Outer Box 箱
532×31.4×5.5 555×164×50 575×290×180
使用说明 / Notices
http://www.fsbrec.com
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ページ | 合計 : 6 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IRF830 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IRF830 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated | NXP Semiconductors |
IRF830 | N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET | STMicroelectronics |
IRF830 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | TRSYS |
IRF830 | 4.5A/ 500V/ 1.500 Ohm/ N-Channel Power MOSFET | Intersil Corporation |