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CS10N60FのメーカーはBLUE ROCKET ELECTRONICSです、この部品の機能は「N-CHANNEL MOSFET」です。 |
部品番号 | CS10N60F |
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部品説明 | N-CHANNEL MOSFET | ||
メーカ | BLUE ROCKET ELECTRONICS | ||
ロゴ | |||
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BRF10N60(CS10N60F)
N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃)
9.5 A
ID(Tc=100℃)
5.7 A
IDM 38 A
VGSS
±20
V
EAS 700 mJ
EAR
15.6
mJ
IAR 9.5 A
RθJC 2.5 ℃/W
RθJA
62.5
℃/W
PD(Tc=25℃)
50 W
TJ,TSTG
-55 to 150 ℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
最小值 典型值 最大值
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
BVDSS
VGS=0V
ID=250μA
600
IDSS
VDS=600V
VDS=480V
VGS=0V
TC=125℃
IGSS VGS=±20V VDS=0V
1.0
10
±10
VGS(th)
VDS=VGS
ID=250μA
2.0
4.0
RDS(on)
gFS
VSD
Ciss
Coss
Crss
td(on)
VGS=10V
VDS=40V
VGS=0V
ID=4.75A
ID=4.75A
IS=9.5A
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
0.6
8.0
1570
166
18
23
0.73
1.4
2040
215
24
55
tr
td(off)
VDD=300V ID=9.5A RG=25Ω
69 150
144 300
tf 77 165
佛山市蓝箭电子股份有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
单位
Unit
V
μA
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
ns
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ CS10N60F データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
CS10N60 | VDMOS Transistor | ETC |
CS10N60A8HD | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
CS10N60A8R | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
CS10N60F | N-CHANNEL MOSFET | BLUE ROCKET ELECTRONICS |