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CS10N60F の電気的特性と機能

CS10N60FのメーカーはBLUE ROCKET ELECTRONICSです、この部品の機能は「N-CHANNEL MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 CS10N60F
部品説明 N-CHANNEL MOSFET
メーカ BLUE ROCKET ELECTRONICS
ロゴ BLUE ROCKET ELECTRONICS ロゴ 




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CS10N60F Datasheet, CS10N60F PDF,ピン配置, 機能
BRF10N60(CS10N60F)
N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃)
9.5 A
ID(Tc=100℃)
5.7 A
IDM 38 A
VGSS
±20
V
EAS 700 mJ
EAR
15.6
mJ
IAR 9.5 A
RθJC 2.5 /W
RθJA
62.5
/W
PD(Tc=25℃)
50 W
TJ,TSTG
-55 to 150 ℃
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
测试条件
最小值 典型值 最大值
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
BVDSS
VGS=0V
ID=250μA
600
IDSS
VDS=600V
VDS=480V
VGS=0V
TC=125℃
IGSS VGS=±20V VDS=0V
1.0
10
±10
VGS(th)
VDS=VGS
ID=250μA
2.0
4.0
RDS(on)
gFS
VSD
Ciss
Coss
Crss
td(on)
VGS=10V
VDS=40V
VGS=0V
ID=4.75A
ID=4.75A
IS=9.5A
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
0.6
8.0
1570
166
18
23
0.73
1.4
2040
215
24
55
tr
td(off)
VDD=300V ID=9.5A RG=25Ω
69 150
144 300
tf 77 165
佛山市蓝箭电子股份有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
单位
Unit
V
μA
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
ns

1 Page







ページ 合計 : 2 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ CS10N60F データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
CS10N60

VDMOS Transistor

ETC
ETC
CS10N60A8HD

Silicon N-Channel Power MOSFET

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
CS10N60A8R

Silicon N-Channel Power MOSFET

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
CS10N60F

N-CHANNEL MOSFET

BLUE ROCKET ELECTRONICS
BLUE ROCKET ELECTRONICS


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