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1N3212のメーカーはGeneSiCです、この部品の機能は「Silicon Standard Recovery Diode」です。 |
部品番号 | 1N3212 |
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部品説明 | Silicon Standard Recovery Diode | ||
メーカ | GeneSiC | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと1N3212ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 3 pages
Silicon Standard
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 400 V to 600 V VRRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
1N3212 thru 1N3214R
VRRM = 400 V - 600 V
IF = 15 A
DO-5 Package
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Symbol
Conditions
1N3212 (R)
1N3213 (R)
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
VRRM
VRMS
VDC
IF
IF,SM
Tj
Tstg
TC ≤ 150 °C
TC = 25 °C, tp = 8.3 ms
400
280
400
15
297
-55 to 150
-55 to 150
500
350
500
15
297
-55 to 150
-55 to 150
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
1N3212 (R)
Diode forward voltage
VF
Reverse current
IR
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - ca RthJC
IF = 15 A, Tj = 25 °C
VR = 50 V, Tj = 25 °C
VR = 50 V, Tj = 150 °C
1.5
10
10
0.65
1N3213 (R)
1.5
10
10
0.65
1N3214 (R)
600
420
600
15
297
-55 to 150
-55 to 150
1N3214 (R)
1.5
10
10
0.65
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Unit
V
μA
mA
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
1
1 Page 1N3212 thru 1N3214R
Package dimensions and terminal configuration
Product is marked with part number and terminal configuration.
M
DO- 5 (DO-203AB)
J
K
P
D
G
FE
C
A
B
N
Inches
Millimeters
Min
A
B 0.669
C -----
D -----
E 0.422
F 0.115
G -----
J -----
K 0.236
M -----
N -----
P 0.140
Max Min
1/4 –28 UNF
0.687
17.19
0.794
-----
1.020
-----
0.453
10.72
0.200
2.93
0.460
-----
0.280
-----
----- 6.00
0.589
-----
0.063
-----
0.175
3.56
Max
17.44
20.16
25.91
11.50
5.08
11.68
7.00
-----
14.96
1.60
4.45
www.genesicsemi.com/silicon-products/standard-recovery-rectifiers/
3
3Pages | |||
ページ | 合計 : 3 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1N3212 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1N321 | Diode 300V 275A 2-Pin DO-9 | New Jersey Semiconductor |
1N3210 | Silicon Rectifier Diodes | Vishay |
1N3210 | 15 Amp Stud-mounted Silicon Rectifier Diodes | International Rectifier |
1N3210 | STANDARD RECOVERY DIODE | DACO SEMICONDUCTOR |