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F21F60CPM の電気的特性と機能

F21F60CPMのメーカーはSHINDENGENです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 F21F60CPM
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ SHINDENGEN
ロゴ SHINDENGEN ロゴ 




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F21F60CPM Datasheet, F21F60CPM PDF,ピン配置, 機能
F21F60CPM
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220A3pin
600V21A
特長
高耐圧
低オン抵抗
高速スイッチング
Feature
HighVoltage
LowRON
FastSwitching
0000
21F60CPM
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrentDC
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.3Nm
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
600
±30
21
63
21
60
2
0.5
V
A
W
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=10.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID=10.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=10.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=400V,VGS=10V,ID=21A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=100V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=10.5A,RL=14.3Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
600
8.5
2.5
──
V
─ 10
μA
─ ±0.1
17 ─
S
0.150 0.165 Ω
3.0 3.5
─ 1.5
V
─ 2.08 ℃/W
39 ─ nC
2000 ─
2.5 ─ pF
100 ─
35 ─
60 ─
140 ─
ns
50 ─
MOS-p2012.06〉)(2014.04
www.shindengen.co.jp/product/semi/

1 Page





F21F60CPM pdf, ピン配列


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
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[ F21F60CPM データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
F21F60CPM

Power MOSFET ( Transistor )

SHINDENGEN
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