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P60B6EN の電気的特性と機能

P60B6ENのメーカーはSHINDENGENです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 P60B6EN
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ SHINDENGEN
ロゴ SHINDENGEN ロゴ 




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P60B6EN Datasheet, P60B6EN PDF,ピン配置, 機能
Nch
P60B6EN
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
60V60A
特長
面実装タイプ
低オン抵抗
10V駆動
低容量
Feature
SMD
LowRON
10VGateDrive
LowCapacitance
P60B6EN
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
60
±20
60
240
62.5
33
115
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=60V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=30A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=30A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=60A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD=48V,VGS=10V,ID=60A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=30A,RL=1Ω,VDD=30V,Rg=0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF=60A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
60 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1
15 ─ ─
S
─ 6.4 8.0 mΩ
2.0 3.0 4.0
─ ─ 1.5
V
──
2 ℃/W
─ 44 ─
─ 12 ─ nC
─ 17 ─
─ 2550 ─
─ 170 ─ pF
─ 350 ─
─ 10 ─
22 ─
18 ─
ns
─ 4─
─ 45 ─ ns
─ 70 ─ nC
MOS-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/

1 Page





P60B6EN pdf, ピン配列


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
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[ P60B6EN データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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