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HCT802TX の電気的特性と機能

HCT802TXのメーカーはTTです、この部品の機能は「Dual Enhancement Mode MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 HCT802TX
部品説明 Dual Enhancement Mode MOSFET
メーカ TT
ロゴ TT ロゴ 




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HCT802TX Datasheet, HCT802TX PDF,ピン配置, 機能
Dual Enhancement Mode
MOSFET
HCT802, HCT802TX, HCT802TXV
Features:
 6 pad surface mount package
 VDS = 90V
 RDS(on) < 5Ω
 ID(on) N-Channel = 1.5A | P-Channel = 1.1A
 Two devices selected for VDS ID(on) and RDS(on) similarity
 Full TX Processing Available
 Gold plated contacts
Description:
HCT802 oers an NChannel and PChannel MOS transistor in a herme c ceramic surface mount package. The devices used 
are similar to industry standards 2N6661 NChannel device and VP1008 PChannel device.  These two enhancement mode 
MOSFETS are par cularly well matched for VDS, IDS(on), RDS(on) and Gfs.
 
TX and TXV devices are processed to OPTEK’s military screening program pa erned a er MILPRF19500. 
TX products receive a VGS HTRB at 24 V for 48 hrs. at 150° C and a VDS HTRB at 48 V for 260 hrs.at 150° C. 
 
Applications:
 Drivers: Solid State
Relays, Lamps,
Solenoids, Displays,
Memories, etc.
 Motor Control
 Power Supply
Circuits
 
Part 
Number 
Sensor Type 
VDSS  ID(ON) (mA) 
Min  Min 
Gfs (ms) 
Min 
HCT801  N & P ‐Channel 
HCT801TX  Enhancement   90  1.5 & ‐1.1  170 & 200 
HCT801TXV 
MOSFET 
t(ON) / t(OFF) (ns) 
Max 
Package 
15/17 & 50/50  6pin Ceramic 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue A 11/2016 Page 1

1 Page





HCT802TX pdf, ピン配列
Dual Enhancement Mode
MOSFET
HCT802, HCT802TX, HCT802TXV
Electrical Characteris cs (TA = 25° C unless otherwise noted) 
SYMBOL 
PARAMETER 
DEVICE 
B=BOTH 
MIN 
t(on)  Turnonme 
N   
  
P   
t(o)  Turnoff‐ me 
N   
  
P   
MAX 
15 
50 
17 
50 
UNITS 
TEST CONDITIONS 
ns  VDD = 25 v, ID = 1 A, RL = 50 Ω 
ns  VDD = ‐25 v, ID = ‐0.5 A, RL = 50 Ω 
ns  VDD = 25 v, ID = 1 A, RL = 50 Ω 
ns  VDD = ‐25 v, ID = ‐0.5 A, RL = 50 Ω 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue A 11/2016 Page 3


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[ HCT802TX データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
HCT802TX

Dual Enhancement Mode MOSFET

TT
TT
HCT802TX

Dual En hance ment Mode MOS FET

OPTEK
OPTEK
HCT802TXV

Dual Enhancement Mode MOSFET

TT
TT
HCT802TXV

Dual En hance ment Mode MOS FET

OPTEK
OPTEK


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