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PDF MJE13003HT Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MJE13003HT | |
| Descripción | TRANSISTORS | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
MJE NPN 系列晶体管/ MJE NPN SERIES TRANSISTORS
MJE13003HT
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■● FEATURES： HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 充电器 节能灯 电子镇流器
■ ■ ■●APPLICATION: RECHARGER
FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
●最大额定值（Ta=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Ta=25°C）
TO-251/251S/252
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
集电极-发射极电压
Emitter- Base Voltage
基极电流
Base Current
基极峰值电流
Base Peak Current
集电极电流
Collector Current
集电极峰值电流
Collector Peak Current
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
Ib
Ibm
IC
Icm
VALUE
850
500
9.0
1.0
2.0
2.0
4.0
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
最高工作温度
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
Ptot
Tj
Tstg
1.0
150
-65-150
W
°C
°C
●电特性（Ta=25°C）
●Electronic Characteristics（Ta=25°C）
参数名称
符号
测试条件
最小值
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
VCB=850V
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
VCE=500V,IB=0
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
IC=1mA,IE=0
850
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
IC=10mA,IB=0
500
发射极 -基极电压
Emitter- Base Voltage
VEBO
IE=1mA,IC=0
9
最大值
MAX
100
250
单位
UNIT
μA
μA
V
V
V
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
IC=0.5A,IB=0.1A
IC=1.5A,IB=0.3A
0.5 V
1.2 V
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
IC=0.5A,IB=0.1A
1.0 V
电流放大倍数
DC Current Gain
VCE=5V,IC=10mA
7
hFE VCE=5V,IC=100mA 20 35
VCE=5V,IC=2A
4
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
无卤塑封料
Nornal Package Material
Halogen Free
TO-251 或 251S 普通袋装 NORMAL PACKING MJE13003HT TO-251 或 251S
MJE13003HT TO-251-HF
TO-252 或 251S 条管/NORMAL PACKING
MJE13003HT TO-251 或 251S-TU MJE13003HTTO-251 或 251S-TU-HF
TO-252 条管/NORMAL PACKING
MJE13003HT TO-252-TU
MJE13003HT TO-252-TU-HF
TO-252 编带装/AMMOPACK
MJE13003HT TO-252-TR
MJE13003HT TO252-TR-HF
Si semiconductors 2013.12
1
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
b
b2
D
E
L1
L2
K
TO-252 封装机械尺寸
最小值
min
TO-252 MECHANICAL DATA
最大值
max
符号
SYMBOL
单位:毫米/UNIT：mm
最小值
最大值
min max
2.10
2.50
B
0.85
1.25
0.50
0.80
b1
0.50
0.90
0.45
0.70
C
0.45
0.70
6.30
6.75
D1
5.10
5.50
5.30
6.30
e1
2.25
2.35
9.20
10.60
e2
4.45
4.75
0.90
1.75
L3
0.60
1.10
0.00
0.23
Si semiconductors 2013.12
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MJE13003HT | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
| MJE13003HV | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |  KEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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