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PDF EMB05N03GH Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB05N03GH
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB05N03GH Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
5mΩ 
ID  20A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB05N03GH
LIMITS 
±20 
20 
13 
80 
20 
20 
10 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/8/12 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB05N03GH pdf
  EMB05N03GH
 
 
  12
ID = 2 0 A
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
 
10
 
8
 
 6
V DS =5V
15V
10V
 4
10 4
10 3
10 2
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ristic s
C is s
C o ss
C rss
 2
 
0
  0 10 20 30 40 50 60 70
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20
V DS ‐D ra in S o u rc e  V o lta g e ( V  )
25
30
 
   1 0 0
M a xim u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
R   D S ( O  N ) Lim it
100μ s
  10
 
1m s
10m s
100m s
 1
1s
  10s
DC
  0.1
VG S    =   1 0 V
S in g le  P u lse
  R   JA     =   1 2 5 ° C / W
T A     =   2 5 ° C
0 .0 1
  0.1 1
10 100
V D  S   ‐  D r a i n S o u r c e  V o l t a g e (   V   )
 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.R θ J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/8/12 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB05N03GHField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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