|
|
EMB09P03AのメーカーはExcelliance MOSです、この部品の機能は「Field Effect Transistor」です。 |
部品番号 | EMB09P03A |
| |
部品説明 | Field Effect Transistor | ||
メーカ | Excelliance MOS | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとEMB09P03Aダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐30V
D
RDSON (MAX.)
9mΩ
ID
‐75A
G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB09P03A
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=‐20A, RG=25Ω
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
±25
‐75
‐50
‐160
‐20
20
78
31
‐55 to 175
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.1mH, VG=‐10V, IL=‐15A, Rated VDS=‐30V P‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2012/3/21
1.6
62.5
°C / W
p.1
1 Page 2Independent of operating temperature.
3Pulse width limited by maximum junction temperature.
Ordering & Marking Information:
Device Name: EMB09P03A for DPAK (TO‐252)
EMB09P03A
B09
P03
ABCDEFG
Outline Drawing
Dimension in mm
B09P03: Device Name
ABCDEFG: Date Code
E
E2
B2
P
B1
B
A
C
L3
A1
Dimension A A1 B B1 B2 C D D2 D3 E E2 H
L L1 L2 L3 P
Min.
2.10 0.95 0.30 0.40 0.60 0.40 5.30 6.70 2.20 6.40 4.80 9.20 0.89 0.90 0.50 0.00 2.10
Max.
2.50 1.30 0.85 0.94 1.00 0.60 6.20 7.30 3.00 6.70 5.45 10.15 1.70 1.65 1.10 0.30 2.50
2012/3/21
p.3
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ EMB09P03A データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
EMB09P03A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB09P03H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB09P03V | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |