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DG1N60S の電気的特性と機能

DG1N60SのメーカーはDGMEです、この部品の機能は「N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 DG1N60S
部品説明 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
メーカ DGME
ロゴ DGME ロゴ 




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DG1N60S Datasheet, DG1N60S PDF,ピン配置, 機能
DG1N60S
N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG1N60SN沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平
面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量。该
产品能应用于多种功率开关电路,使得电源能效更高,系统更加小型化。
DG1N60S is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s
proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve
switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching
circuit for higher efficiency and system miniaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
VDSS
ID
RDS(ON)
Crss
600
0.5
12
3.6
V
A
pF
符号 Symbol
封装 Package
1 /8

1 Page





DG1N60S pdf, ピン配列
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关断特性 Off-Characteristics
参数名称
Parameter
漏极-源极击穿电压
Drain-Source Breakdown Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, forward
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, reverse
符号
Symbol
BVDSS
BVDSS/
TJ
IDSS
IGSSF
IGSSR
测试条件
Tests Conditions
ID=250µA, VGS=0V
ID=250µA, referenced to
25
VDS=600V,VGS=0V, TC=25
VDS=480V, TC=125
VDS=0V, VGS =30V
VDS=0V, VGS = -30V
最小
Min
600
-
-
-
-
-
典型 最大 单位
Type Max Unit
- -V
0.7 - V/
-1
µA
- 10
- 100 nA
- -100 nA
通态特性 On-Characteristics
参数名称
Parameter
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
符号
Symbol
VGS(th)
RDS(ON)
gfs
测试条件
Tests Conditions
VDS = VGS , ID=250µA
VGS=10V , ID=0.25A
VDS = 40V, ID=0.25A (note4)
最小
Min
2.0
-
-
典型 最大 单位
Type Max Unit
- 4.0 V
9.5 12 Ω
0.5 - S
动态特性 Dynamic Characteristics
参数名称
Parameter
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
符号
Symbol
Ciss
测试条件
Tests Conditions
最小
Min
-
Coss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ -
Crss -
典型 最大 单位
Type Max Unit
130 170 pF
19 25 pF
3.5 6 pF
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DG1N60S 電子部品, 半導体
7. 最大安全工作区
Fig. 7 Maximum Safe Operating Area
8. 最大漏极电流随温度变化曲线
Fig. 8 Maximum Drain Current vs Case Temperature
9. 瞬态热响应曲线(TO-92)
Fig. 9 Transient Thermal Response Curve (TO-92)
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6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ DG1N60S データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
DG1N60

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DGME
DGME
DG1N60S

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DGME
DGME


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