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Datasheet LIS8413 PDF ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 LIS8413
部品説明 Non-isolated step-down LED driver controller
メーカ LIS
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LIS8413 Datasheet, LIS8413 PDF,ピン配置, 機能
LIS8413
非隔离降压式 LED 驱动控制器
特性
新颖的数字电流环路控制技术
集成变压器感量补偿功能
集成前沿导通消隐功能(LEB)
集成频率抖动功能
超低工作电流(110uA)
超宽输出电压范围
芯片欠压和过压保护功能
逐周期峰值电流保护功能
输出开路,短路保护功能
过温保护功能
优化的恒流精度
优化的线电压及负载调整率
优化的电流温度系数
优化的系统成本
内置500V高压MOS
DIP-8封装
概述
LIS8413 是一款专用于 LED 恒流驱动的控制芯片,适用于降压式非隔离应用场合,通过采用专有的 LED 数
字恒流控制技术,使得系统架构得到了最大程度的精简。LIS8413 工作在电感电流临界导通模式,并加入
了准谐振控制技术,大大优化了系统效率,使系统能够轻松达到 93%以上的效率。LIS8413 集成变压器感
量补偿功能,即使输入电压及输出电压发生变化,输出电流也能保持恒定。下图示出了这种芯片的典型应
用。LIS8413 还集成了完善的保护功能,包括输入电流的逐周期过流保护,电流检测管脚的开路保护,IC
过温保护,以及输出端的开路和短路保护等。
应用
LED球泡灯驱动
LED T5/T8灯驱动
推荐功率应用
输入电压
90V-264VAC
典型应用电路
LED天花灯驱动
LED景观灯驱动
输出电压
<150V
输出电流
<380MA
备注
版权© 莱士电子科技有限公司
莱士电子科技有限公司
输出电压需小于输入整流后的谷底电压
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LIS8413 pdf, ピン配列
LIS8413
非隔离降压式 LED 驱动控制器
极限工作范围
电源电压 (引脚 1)------------------------------------------------------------------------------------------
最大结温 (TJMAX---------------------------------------------------------------------------------------
工作环境温度(Ta--------------------------------------------------------------------------------------
存储温度范围(TSTO---------------------------------------------------------------------------------
引线温度(无铅封装,焊接,10 秒)----------------------------------------------------------------
CS 引脚电压范围------------------------------------------------------------------------------------------
Drain 引脚电压范围---------------------------------------------------------------------------------------
-0.3V~35V
150 oC
-40 oC~85 oC
-55 oC~150 oC
260 oC
-0.3V~7V
-0.3V~500V
标识和订购信息
订购序号
LIS8413-D-G-TB
封装类型
DIP-8
版权© 莱士电子科技有限公司
莱士电子科技有限公司
封装编带
Tube 2000
3/7 LIS-DS-8413-V1.0


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LIS8413 電子部品, 半導体
LIS8413
非隔离降压式 LED 驱动控制器
应用设计
CS 取样电阻的设计
LIS8413是一款专用于LED非隔离降压式驱动开关,
系统工作在谷底开关模式,芯片逐周期的检测电感上
的峰值电流,CS端连接芯片内部,并与内部500mV的
电压进行比较,当CS达到内部阈值时,系统会关掉内
部功率管。
电感峰值电流的计算公式:IPK = 500/RcsmA),
RcsCS取样电阻阻值。
电源额定输出电流为:ILED =IPK/2.0 (mA)
由以上公式可以得出:Rcs =250/ ILED ILED 单位:mA)
电感的设计
LIS8413是采用Buck电路工作模式,系统上电后内部
功率管导通,电感电流逐渐上升,当电感电流上升到
IPK时,内部功率管关断。 此时电感开始消磁,当消
磁结束,内部功率管又开始导通,周而复始。芯片内
部对电感的最小消磁时间做了限定,其典型值为7uS,
即正常工作时,电感的消磁时间不得低于7uS。L的计
算公式如下:
L=Vout*Tdem/ IPK
L为电感量,Vout为额定输出电压,Tdem为设计者设定
的消磁时间(一般取值8.5uS以上),IPK为电感峰值
电流
频率的计算
内部功率管的导通时间如下:
TON =
其中,L为电感的电感量,VIN是输入交流整流后的直
流电压,VLED是输出LED的正向压降
当内部功率管关断后,电感上电流从峰值开始逐渐下
降,当电感上电流下降到0时,内部功率管开启。
功率管的关断时间如下:
TOFF =
频率的计算公式如下:
f=
∗∗
∗ 0.86
其中 f 为系统的工作频率,当 LVLEDIPK 一定时,
工作频率随 VIN 的降低而降低。所以设计系统工作频
率,在最小 VIN 时,不能让系统进入音频范围内(一般
不要低于 20k~25kHz),在最高 VIN 时不能使系统的工
作频率太高,不要高于芯片的最高工作频率 90kHz
(频率太高,功率管功耗太大)。
变压器匝数计算
当以上计算,得出LIPK后,需用到NBS=LIPK来计算
出变压器或电感的最少匝数,N>LIPK/BSN为变压
器线圈匝数, S为变压器磁芯中柱的截面积(AE值),
B的取值需参考磁芯材质而定,以PC40材质为例,建
B取值0.28T以下。
最短消磁时间与最长消磁时间
LIS8413 设置了最短消磁时间和最长消磁时间,当电
感过小或输出电压过高时(输出开路),电感的消磁
时间就有可能小于芯片的最短消磁时间,此时芯片进
入保护状态,系统不断重启;当电感过大或输出电压
过低时(输出短路),电感的消磁时间就有可能大于
芯片的最长消磁时间,此时芯片也会进入保护状态。
因此选取一个合理的电感值非常重要,需要设计者重
点考量。需特别指出,当电源正常工作时,其设计的
最小消磁时间一定不能小于芯片的最小消磁时间,并
且留有足够的余量,否则电源将不能正常工作,由于
该系统架构是降压式,所以输入端整流后的最小直流
电压也一定不能低于输出电压。
功率因素的校正
当系统有功率因素要求时,可采用一个简单的无源功
率因素校正电路(填谷式),该电路包含 3 个二极管 2
个电容可将系统功率因素提高到 0.9 以上,如果在填
谷电路中串入一个 2 欧姆的电阻,系统的功率因素将
可以进一步提高到 0.95 以上。
PCB 板的设计
VDD 电容尽可能靠近芯片 VDD 端和 GND
电感的充电回路和放电回路面积都要尽可能的小
芯片的 Drain( Pin5, Pin6)所连接的铜皮面积要尽
量大,以便芯片良好散热
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